ГОСТ Р 55993—2014
d) мультикристаллический кремний; mc-Si: Кремниевый материал,multicrystalline silicon
затвердевший с такой скоростью, что сформировались многочисленные
крупные монокристаллы (называемые кристаллитами, размером от 1 до
10 мм).
3 — Атомы каждого кристаллита расположены симметрично, однако собственно они размеще
П р и м е ч а н и е
ны беспорядочно.
П р и м е ч а н и е
4 — Часто изготавливают в виде отлитой заготовки или тянутой ленты;
e) поликристаллический кремний; pc-Sl: Кремниевый материал, приса-polycrystalline silicon
женный на чужеродный субстратслоем толщиной порядка от 10 до 30 мкм с
зерном размером от 1мкм до 1мм.
П р и м е ч а н и е
5 — Поликристаллический кремний известен как тонкопленочный pc-Sl.
П р и м е ч а н и е
6 — Поликристаллический кремний — это также термин, используемый в процессе производ
ства сырьевого кремния;
f) монокристаллический кремний;pc-Si: Кремниевый материал, характе-single crystalline silicon,
ризующийся порядком ипериодичностью расположенияатомовтаким обра
зом. что все они имеют лишь одну ориентацию в кристалле, т. е. все атомы
симметричны.
П р и м е ч а н и е 7 — Монокристаллический кремний известен какмонокристаллический проводник.
д) солнечный фотоэлектрический кремний; SPG; Исходный материал
высокой химической чистоты, предназначенный для выращивания загото
вокиз кристаллического кремния.
3.1.59 кремниевый фотоэлектрический элемент
См. «элемент/кремниевый фотоэлектрический элемент», 3.1.9j).
3.1.60 монокристаллический кремний
См. «кремний/монокристаллический кремний». 3.1.580-
3.1.61 солнечный фотоэлектрический, солнечные фотоэлектрические
устройства: Относится кФЭ устройствам, накоторые воздействуетсолнеч
ный свет.
solar photovoltaic grade
silicon
silicon photovoltaic cell
single crystalline silicon
solar photovoltaic, solar
photovoltaics
П р и м е ч а н и е — Все термины, начинающиеся со слов «солнечный фотоэлектрический», даны под соответ
ствующими «фотоэлектрическими» наименованиями (3.1.43. 3.2.21. и 3.3.56).
3.1.62 скомпонованные фотоэлектрические элементы
См. «элемент/пакетный фотоэлектрический элемент», 3.1 9к).
3.1.63 фотоэлектрический элементс несколькими P-N переходами
См. «элемент/тандемный фотоэлектрический элемент. 3.1.91).
3.1.64 прозрачный проводящий оксидный слой(прозрачный проводя
щий оксид); ТСО; Прозрачныйпроводящий оксид, используемый вэлектро
де тонкопленочныхФЭ элементов.
stacked photovoltaiccell
tandem photovoltaic cell
transparentconducting
oxide layer
П p и м e ч а н и e — См. также «прозрачный электрод». 3.1.67.
textured surface
3.1.65 текстурированная поверхность: Неровная структура, образован-
ная на передней или тыльной поверхности ФЭ элемента для увеличения
поглощения света путем снижения потерь отражения от поверхности и
использованияэффекта удержания света.
thin film photovoltaiccell
3.1.66 тонкопленочный фотоэлектрический элемент
См. «элемент/тонкопленочный фотоэлектрический элемент». 3.1,9т).
8