ГОСТ Р 55993—2014
П р и м е ч а н и е — Энергия барьера — значение электростатического потенциала барьера.
3.1.7 магистраль (шина)
См. «линия металлизации/шина (фотоэлектрическихэлементов)», 3.1.37а).
3.1.8 обходной диод (на уровне элемента): Диод, подсоединенный через
один или несколько ФЭ элементов по направлению электрического тока, с
целью позволить электрическому току ФЭ модуля обойти элементы для
предотвращения короткого замыкания или повреждения от перегрева в
результатеобратного напряженияотдругих элементов модуля.
3.1.9 элемент
См. «фотоэлектрический/фотоэлектричество», 3.1.43а).
Для описанияструктуры ФЭ элементов ивеществ использованы следующие
термины ссоответствующими определениями.
a) фотоэлектрический элемент из селенида меди и индия; CIS: ФЭ эле
мент из диселенида меди и индия (CulnSe2, сокращенно CIS) — главный
составляющий материал (тонкая пленка);
b
) сложный полупроводниковый фотоэлектрический элемент: ФЭэле
мент, изготовленный из составного полупроводника, содержащего такие
разные химические элементы, как GaAs (III-V соединения), CdS/CdTe (II-VI
соединения). Cd&’CulnSe2ит. д.;
c) фотоэлектрический элементе концентратором
См. «фотоэлектрический элемент с концентратором», 3.8.5а);
d) цветочувствительный фотоэлектрический элемент: Фотоэлектрохи-
мическое устройство, использующее два электрода, молекулы красителя и
электролит;
e) фотоэлектрический элемент интегрированного типа: Несколько ФЭ
элементов, объединенных в группуна общей основе таким образом, что они
представляют собой одинэлемент.
buslines
bypass diode (on a modu
lelevel)
cell
CIS photovoltaiccell
compound
semiconductor
photovoltaiccell
concentrator photovoltaic
cell
dye-sensitized
photovoltaiccell
integrated type photovol
taiccell
П р и м е ч а н и е 1 — Фотоэлектрический элемент интегрированного типа может иметь пакетную или парал
лельную конфигурацию:
f)
многопереходный фотоэлектрический элемент
См. «элемент/пакетный фотоэлектрический элемент», 3.1.9k);
д) органический фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, изготовлен
ный изорганическихвеществ, аименно: полимерови/илимономеров(тонкая
пленка);
h) фотоэлектрический элемент с P-N переходом: ФЭ элемент, использу
ющий P-N переход.
multijunction photovoltaic
cell
organic photovoltaiccell
PN junction photovoltaic
cell
П р и м е ч а н и е 2 — См. также *P-N переход». 3.1.341);
i) фотоэлектрический элементсбарьером Шоттки: ФЭ элемент, исполь
зующий переход Шоттки в приконтактном слое металла иполупроводника;
k) пакетный фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, состоящий из
слоев разных ФЭ ячеек с разными оптическими свойствами, где падающий
свет поглощаетсяэлементами каждого уровня;
l
) тандемный фотоэлектрический элемент: Общепринятое наименова
ниедляпакета издвух или болееФЭ элементов, расположенныхпоследова
тельно;
т ) тонкопленочный фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, состоя
щий изтонких слоев полупроводникового материала.
Schottky barrierphotovol
taic cell
j) кремниевый фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, основнуюsilicon photovoltaic cell
часть которогосоставляет кремний;
stacked photovoltaiccell
tandem photovoltaic cell
thin film photovoltaiccell
П р и м е ч а н и е 3 — См.также«кремний/лоликристаллическийкремний».3.1.58е).
2