ГОСТ Р 55993—2014
3.1.10 барьер элемента: Очень тонкий электропотенциальный барьер уcell barrier
области междуслоями P-типа и N-типа ФЭ элемента.
П р и м е ч а н и е
1 — Барьер элемента также может иметь наименование «область обеднения».
П р и м е ч а н и е
2 — Электропотенциальный барьер — это область, где сильное электрическое поле препя
тствует прохождению заряженных частиц в направлении, обусловленном знаком их электрического заряда.
3.1.11 P-N переход элемента
См. «P-N переход/P-N переходэлемента», 3.1.34а).
3.1.12 фотоэлектрический элементиз селенида меди и индия; CIS
См. «элемент/фотоэлектричвекий элементизселенидамеди ииндия (CIS)»,
3.1.9а).
3.1.13 составной полупроводниковый фотоэлектрический элемент
См. «элемент/составнойполупроводниковыйфотоэлектрическийэлемент»,
3.1.9Ь).
3.1.14 коэффициент полезного действия, %: Отношение количества
электроэнергии, генерируемой ФЭ устройством наединицу рабочейповерх
ности, к значению освещенности, полученному при измереннии в стандар
тныхусловиях испытаний (СУИ).
П р и м е ч а н и е — См. также «условия/стандартные тестовые условия», 3.4.16е).
3.1.15 кристаллический кремний
См. «кремний/кристаллический кремний», 3.1,58Ь).
3.1.16 ток
ДляФЭ устройствисоответствующихстатейсм. «фотоэлектричесхий/фото-
электричесхийток». 3.1.43Ь).
П р и м е ч а н и е — Электрический термин «ток» — понятие многозначное.
3.1.17 метод Чохральского
См. «процесс выращивания кристаллаУметод Чохральского». 3.1,32а).
3.1.18 темновой ток. А: Электрический ток, остающийся в ФЭ устройстве,
когда входящее излучение равно нулю.
3.1.19 устройство
См.«фотоэлектрическийУфотоэлектрическое устройство», 3.1.43с).
3.1.20 диффузионный слой: Часть P-слоя или N-слоя. возникшего из-за
диффузии примесидля образования P-N перехода.
3.1.22 донор (в фотоэлектрических элементах): Примесь (например,
фосфор в случае кремния), которая поставляетдополнительный электрон в
сбалансированную без нее кристаллическую структуру.
3.1.23 примесь (в фотоэлектрических элементах): Химический элемент,
в небольших количествах добавляемый к полупроводнику для изменения
его электрическихсвойств.
conjunction
CIS photovoltaiccell
compound
semiconductor
photovoltaic cell
conversionefficiency
crystalline silicon
current
Czochralski process
dark current
device
diffusion layer
3.1.21 направленная кристаллизация
directional solidification
См. «процесс выращивания кристалла/направленная кристаллизация»,
3.1.32Ь).
donor (in photovoltaic
cells)
dopant (in photovoltaic
cells)
П р и м е ч а н и е 1 — N-лримесь добавляет больше электронов, чем требуется для структуры вещества (напри
мер. для этогодобавляют фосфор ккремнию).
П р и м е ч а н и е 2 — Р-примесь создает нехватку электронов в структуре вещества (например, для этого добав
ляют бор к кремнию).
3.1.24 цветочувствительный фотоэлектрический элемент
См. «элемент/цветочувствительный фотоэлектрический элемент», 3.1,9d).
dye-sensitized
photovoltaic cell
effect
3.1.25 эффект
См. «фотоэлектричесхий/фотоэлектрический эффект», 3.1.43d).
з