ГОСТ Р 55993—2014
wafer
watt-hour efficiency
weighted average conversion efficiency
wet leakage current test
white bias light
W
Y
Указатель буквенных обозначений
n — уголказимуту (azimuth angle)
4Ah — ампер-часовая отдача (ampere-hourefficiency)
Янсродмов — средняя эффективностьустановки (mean arrayefficiency)
pc-Sl — микрокристаллический кремний (microcrystalline silicon)
nSp — КПД системы (system efficiency)
Ч,0, — обшая эффективностьсистемы (overallsystem efficiency)
4y;n — эффективная энергоемкость (watt-hourefficiency)
aD. X — мутность(turbidity)
a-Si — аморфный кремний (amorphoussilicon)
a-Si:H — аморфный кремний (amorphoussilicon)
c-Si — кристаллический кремний (crystallinesilicon)
0P— зависимостьотсолнечной энергии(dependencyon sotarenergy)
EX — спектральная освещенность(spectral Irradlance)
ЕрХ— спектральная фотоннаяосвещенность(spectralphoton Irradiance)
G — освещенность (irradiance)
G, — освещенность на плоскости(m-plane irradiance)
G, — HcnbiTaTenbHanoceeineHHOCTb(testirradiance)
GT — полная освещенность (totalIrradiance)
H
— энергетическая экспозиция (irradiation)
HT
—
полная энергетическая экспозиция(totalirradiation)
l
L— токнагрузки (loadcurrent)
fpmax— токмаксимальной мощности (maximum power current)
l
R— номинальный TOK(ratedcurrent)
lsc —
токкороткогозамыкания (short-clrcuitcurrent)
*sc
с уи
— T0*
«Робкого замыкания при стандартных условиях проведения испытаний (short-circuit
currentunderstandard testconditions)
IV — вольт-ампернаяхарактеристика(current-voltage characteristic)
l-V — вольт-амперная характеристика(current-voltage characteristic)
1
XBOS — потери на компонентахравновесиясистемы (balanceofsystem losses)
Lc —
приведенные потери установки(arraycapture losses)
f-SP — коэффициентконцентрации(сарасПу
1
ас ог)
mc-Si— мультикристаллическийкремний(multlcrystallinesilicon)
pc-Si — поликристалпическийкремний(polycrystalline silicon)
PL—
мощность нагрузки (load power)
p ma*
— максимальная мощность (maximum power)
voltage-temperature coefficient 3.4.14c)
3.4.93
3.1.68
3.4.26p)
3.4.94
3.4.26q)
3.4.95
3.6.15л)
3.6.51
3.6.52
yield3.4.96
3.6.4c)
3.4.26a)
3.4.26h)
3.1.58c)
3.4.26П)
3.4.26.)
3.4.26p)
3.6.48
3.1.58a)
3.1.58a)
3.1.58b)
3.4.23
3.6.25g)
3.6.25h)
3.6.25
3.6.25d)
3.6.250
3.6.25])
3.6.26
3.6.26d)
3.4.39a)
3.4.42a)
3.4.69c)
3.4.80
3.4.80a)
3.4.21
3.4.21
J —
nnorHOCTbTOKa^oT03neKTpH4ecKoro3neMeHTa)(currentdenslty(photovoltaiccell))
3.4.19
3.4.40b)
3.4.40a)
3.4.10b)
3.1.58d)
3.1.58e)
3.4.39b)
3.4.42
79