ГОСТ Р 55993—2014
a) эффект поля тыльной поверхности: Эффект, при котором носители
заряда, сгенерированныеу тыльной поверхностиФЭ элемента, эффективно
собираются внутренним электрическим полем, образованным сильно леги
рованной зонойу тыльногоэлектрода.
b
) эффект удержания света: Эффект, при котором увеличивается сила
электрического тока в замкнутом контуре за счет улавливания падающего
света внутри ФЭ элемента с помощью текстурированных поверхностей,
структур ит.д.
3.1.26 электромагнитное литье
См. «процесс выращивания кристалла/электромагнитноелитье», 1.3.32с).
3.1.27 запрещенная зона. eV: Область значений энергии, которыми не
может обладатьэлектрон в идеальном (бездефектном) кристалле.
(IEV 111-14-37]
П р и м е ч а н и е — См. также «энергетическая щель».
3.1.28 зонная плавка
См. «процесс выращивания кристалла/зонная плавка». 3.1,32d).
3.1.29 линии соти
См. «линии металлизации/линии сети», 3.1.37Ь).
3.1.30 гетеропереход
См. «Р-N переход/гетеропереход». 3.1.34Ь).
3.1.31 местный перегрев: Интенсивное локальное повышениетемперату
ры. происходящее в ФЭ модуле, когда значение силы его рабочеготока пре
вышает значение ограниченной силытокакороткого замыкания
неисправного ФЭ элемента или группы ячееквнутри него.
П р и м е ч а н и е — При местном перегреве, подвергшийся его воздействию элемент или группа ячеекпереходит в
реверсивный режим и начинает отдавать энергию, что приводит кперегреву. Напряжения смещения или повреж
дение вызывают создание локального шунта, который проводит значительную часть тока ФЭ модуля.
3.1.32 процесс выращивания кристалла: Процесс, посредством которого
выращивается кристалл.
ingot manufacturing pro-
cess
Czochralski process
a) метод Чохральского: Процесс выращивания совершенного крупного
монокристалла посредством медленноговытягиваниявверхвращающегося
затравочного кристалла от вращающейся в противоположную сторону рас
плавленной кремниевой основы.
П р и м е ч а н и е 1— Метод Чохральского позволяет производить цилиндрические слитки кремния, которые
могут быть разрезаны на пластины круглого или псевдоквадратного сечения;
b
) направленная кристаллизация: Метод создания крупнозернистыхdirectional solidification
слитков поликристалличесхого кремния путем контроля скорости охлажде
ния расплавленногокремния в тигле квадратного сечения.
П р и м е ч а н и е 2 — Направленная кристаллизация позволяет производить слитки кремния квадратного сече
ния. которые могут быть разрезаны на пластины квадратного или прямоугольного сечения;
c) электромагнитное литье: Метод производства слитков поликристалли-electromagnetic casting
ческого кремния, при котором находящийся под напряжением холодный
тигель квадратного сечениясоткрытымдном постоянно протягивается вниз
сквозь электромагнитное поле.
П р и м е ч а н и е 3 — Электромагнитное литье позволяет производить слитки кремния квадратного сечения,
которые могут быть разрезаны на пластины квадратного или прямоугольного сечения.
d) метод зонной плавки: Метод выращивания и очищения высококачес-floatzone melting
таенных монокристалличесхихслитков.
back-surfacefield effect
light-confinement effect
electromagnetic casting
energy gap
float zone melting
grid lines
heterojunction
hotspot
4