ГОСТ ISO/TS 80004-6-2016
3.5.2
atomic force
microscopy:
AFM;
scanning force
microscopy
(deprecated):
SFM
(deprecated)
П ри м ечания
1 С помощью ACM можно исследовать обьекты из проводниковых и диэлектрических материалов.
2 В промессе работы в некоторыхатомно-силовых микроскопах (ACM) перемещают образец в направлении осей х. у,
z,
а кантилеверостается неподвижным, в другихACM перемещают кантилевер, оставляя неподвижным образец. 3 С
помощью ACM можно выполнять измерения в вакуумной, жидкой или контролируемой газовой средах и ис
следовать объекты с атомарным разрешением в зависимости от образца, размера кантилевера и кривизны его
острия, а также соответствующих настроек для получения изображений.
4 С помощью ACM в процессе сканирования регистрируют силы, действующие на кантилевер, например, про
дольные и поперечные силы, силы трения и сдвига. Методы ACM имеют наименования в зависимости от реги
стрируемой силы, например, поперечно-силовая микроскопия. Термин «атомно-силовая микроскопия» является
общим термином для всех понятий методов силовой микроскопии.
5 ACM регистрирует в конкретных точках силы, действующие на кантилевер со стороны поверхности объекта, и
из массива пикселей генерирует изображение обьекта.
6Для исследования нанообьектов применяютACM с эффективным радиусом острия кантилевера менее 100 нм. В
зависимости от материала исследуемого обьекта суммарная сила между острием и объектом должна быть
приблизительно 0,1 мкН. в противном случав могут произойти необратимая деформация поверхности объекта
и повреждение острия кантилевера.
[ISO 18115-2. статья 3.2]
3.5.3
scanning
tunnelling
microscopy:
STM
сканирующ ая туннельная микроскопия: СТМ: СЗМ (3.5.1). применяемая для ис-
следования рельефа поверхности объекта с помощью микроскопа, формирующе-го
изображение путем регистрации данных о туннелировании носителей заряда
сквозь промежуток между исследуемым токопроводящим объектом и сканирую-
щим его поверхность токопроводящим зондом.
П ри м е ча н и я
1 С помощью СТМ можно выполнять измерения в вакуумной, жидкой или контролируемой газовой средах, ис
следовать объекты с атомарным разрешением в зависимости от образца и кривизны острия зонда и получать
информацию о плотности состояний атомов поверхности объекта.
2 Изображения могут быть сформированы на основе данных о высоте рельефа поверхности объекта при постоянных
значениях туннельного тсжа или о туннельном токе при постоянных значениях высоты рельефа поверхности объекта, а
также на основедругихданных в зависимости от режимов взаимодействия зонда иповерхности исследуемого объекта. 3
С помощью СТМ можно получить информацию о локальной туннельной проводимости (туннельной плотности
состояний) исследуемого объекта. Следует учитывать, что при изменении положения зонда относительно по
верхности обьекта получают отличные друг от друга изображения рельефа одной и той же поверхности.
[ISO 18115-2. статья 3.34]
3.5.4
атомно-силовая микроскопия: ACM (Нрк.
сканирующая силовая микроскопия;
ССМ):
Метод исследования объекта с помощью микроскопа, формирующего изо
бражение объекта в результате регистрации силы взаимодействия зондового дат
чика (кантилевера) с поверхностью объекта в процессе сканирования.
сканирующ ая оптическая микроскопия ближнего поля; СОМБП;
ближнвполь-
ная сканирующая оптическая микроскопия: БСОМ:
Метод исследования объекта с
помощью светового микроскопа, формирующего изображение объекта путем ре
гистрации взаимодействия электромагнитного поля между объектом и оптическим
зондом, сканирующим его поверхность, радиус острия которого меньше длины из
лучаемой световой волны.
near-field
scanning optical
microscopy:
NSOM;
scanning
near-field optical
microscopy:
SNOM
8