Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 23.12.2024 по 29.12.2024
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ Р 56647-2015; Страница 16

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ Р 56640-2015 Чистые помещения. Проектирование и монтаж. Общие требования Clean rooms. Design and construction. General requirements (Настоящий стандарт устанавливает общие требования к проектированию и монтажу чистых помещений с учетом их особенностей) ГОСТ Р 56649-2015 Техника ракетно-космическая. Электронная компонентная база иностранного производства. Порядок применения Space-rocket hardware. Electronic components of foreign manufacture. Order of application (Настоящий стандарт распространяется на порядок применения изделий электронной компонентной базы иностранного производства, используемых для создания радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники гражданского (научного и социально-экономического) и коммерческого назначения. Настоящий стандарт устанавливает:. - общий порядок и состав работ, проводимых при выборе и оценке правильности выбора и применения изделий электронной компонентной базы иностранного производства; . -перечень требований к изделиям электронной компонентной базы иностранного производства, которые должны быть заданы в техническом задании на разработку радиоэлектронной аппаратуры;. - классификацию изделий электронной компонентной базы по уровню качества;. - состав, форму и порядок заполнения документов для обоснования и разрешения применения изделий электронной компонентной базы иностранного производства; . - основные критерии выбора и оценки правильности выбора и применения изделий электронной компонентной базы иностранного производства;. - формы, виды и порядок заполнения перечней, определяющих номенклатуру изделий электронной компонентной базы иностранного производства; . - правила внесения в конструкторскую документацию наименований изделий электронной компонентной базы иностранного производства и обозначений документов, по которым их применяют. Перечень групп изделий электронной компонентной базы иностранного производства приведен в соответствии с приложением А. Настоящий стандарт является основой для разработки отраслевых нормативных и руководящих документов и нормативных документов предприятий) ГОСТ Р 56639-2015 Технологическое проектирование промышленных предприятий. Общие требования Process design for manufacturing facilities. General requirements (Настоящий стандарт устанавливает общие требования к технологическому проектированию промышленных предприятий (фармацевтическая, медицинская, химическая, радиоэлектронная, приборостроительная, электротехническая промышленность), составу и содержанию технологического раздела проекта с целью выполнения требований технологического процесса и обеспечения выпуска продукции заданной номенклатуры и объема при соблюдении требований обязательных документов)
Страница 16
Страница 1 Untitled document
ГОСТ Р 56647—2015
3.5.15 микроскопия сверхвы сокого разрешения: Метод исследованияsuper-resolution
объекта с помощью микроскопа, формирующего его изображение с прострам-microscopy
ственным разрешением выше дифракционного предела.
П р и м е ч а н и я
1 Наиболее распространены следующие виды микроскопии сверхвысокого разрешения: микроскопия локализо
ванных флуоресцентных молекул (3.5.16). микроскопия снижения стимулированной эмиссии (МССЭ) и микроско
пия структурированного облучения (МСО).
2 Большинство видов микроскопии сверхвысокого разрешения основаны на явлении флуоресценции (3.5.12).
localization
microscopy
3.5.16 микроскопия локализованных ф луоресцентных молекул: Вид ми-
кроскопии сверхвысокого разрешения (3.5.15), с помощью которой реконстру-
ируют изображение объекта по зарегистрированной с высокой точностью и
сохраненной информации о распределении в нем флуоресцентных молекул
(флуорофоров).
П р и м е ч а н и я
1 В настоящее время существуют различные виды микроскопии локализованных молекул, которые отличаются
типами применяемых флуорофоров. флуоресцирующих в зависимости от вида действующего возбуждения. К ми
кроскопии локализованных молекул относят, например, микроскопию локализованной фогоактивации
Л
Ф)
качестве флуорофоров применяют флуоресцентные белки) и микроскопию стохастической оптической реконструк
ции (МСОР). которые основаны на контролируемом «включении» и «выключении» флуорофоров и их последова
тельной регистрации.
2 Для получения картины распределения флуорофоров в объекте (изображение объекта) необходимо наличие до
статочного числа последовательных кадров, позволяющих определить точные координаты всех флуорофоров. При
этом должны быть созданы такие условия, чтобы флуорофоры флуоресцировали не одновременно, а по очереди, и
изображения флуорофоров в различных кадрах не были перекрыты.
3.6 Термины и определения понятий, относящ ихся к площ ади поверхности нанообъектов
и методам ее определения
3.6.1
удельная площ адь поверхности, вычисляемая по массе: Отношение об-
mass specific
щей (внутренней и внешней) площади поверхности вещества к его массе.
surface area
П р и м е ч а н и е Единица измерения удельной площади поверхности, вычисляемой по массе. —
иР/
к
г.
[ИСО 9277:2010. статья 3.11. наименование и определение термина изменено]
3.6.2
volume specific
surface area
удельная площ адь поверхности, вычисляемая по объему. Отношение
общей (внутренней и внешней) площади поверхности вещества к его объ-
ему.
П р и м е ч а н и е Единица измерения удельной площади поверхности, вычисляемой по обьему, — м2/м3.
[ИСО 9277:2010. статья 3.11. наименование и определение термина изменено]
общей (внутренней и внешней) удельной площади поверхности дисперсных
порошков иУили пористых твердых тел путем экспериментального получения
данных о количестве адсорбированного газа и вычисления по формуле, вы
веденной С. Брунауэром, П. Эмметом и Э. Теллером.
3.6.3 метод Брунауэра, Эммета и Теллера: метод БЭТ: Метод определенияBomauer—
Emmett—Teller
Method;
BET method
П р и м е ч а н и я
1 Определение термина соответствует определению, изложенному в статье С. Брунауэра. П. Эммета и Э. Теллера
«Адсорбция газов в полимолекулярных слоях», опубликованной в журнале Американского химического общества,
томбО. 1938. с. 309.
11