Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 18.11.2024 по 24.11.2024
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ Р 56647-2015; Страница 14

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ Р 56640-2015 Чистые помещения. Проектирование и монтаж. Общие требования Clean rooms. Design and construction. General requirements (Настоящий стандарт устанавливает общие требования к проектированию и монтажу чистых помещений с учетом их особенностей) ГОСТ Р 56649-2015 Техника ракетно-космическая. Электронная компонентная база иностранного производства. Порядок применения Space-rocket hardware. Electronic components of foreign manufacture. Order of application (Настоящий стандарт распространяется на порядок применения изделий электронной компонентной базы иностранного производства, используемых для создания радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники гражданского (научного и социально-экономического) и коммерческого назначения. Настоящий стандарт устанавливает:. - общий порядок и состав работ, проводимых при выборе и оценке правильности выбора и применения изделий электронной компонентной базы иностранного производства; . -перечень требований к изделиям электронной компонентной базы иностранного производства, которые должны быть заданы в техническом задании на разработку радиоэлектронной аппаратуры;. - классификацию изделий электронной компонентной базы по уровню качества;. - состав, форму и порядок заполнения документов для обоснования и разрешения применения изделий электронной компонентной базы иностранного производства; . - основные критерии выбора и оценки правильности выбора и применения изделий электронной компонентной базы иностранного производства;. - формы, виды и порядок заполнения перечней, определяющих номенклатуру изделий электронной компонентной базы иностранного производства; . - правила внесения в конструкторскую документацию наименований изделий электронной компонентной базы иностранного производства и обозначений документов, по которым их применяют. Перечень групп изделий электронной компонентной базы иностранного производства приведен в соответствии с приложением А. Настоящий стандарт является основой для разработки отраслевых нормативных и руководящих документов и нормативных документов предприятий) ГОСТ Р 56639-2015 Технологическое проектирование промышленных предприятий. Общие требования Process design for manufacturing facilities. General requirements (Настоящий стандарт устанавливает общие требования к технологическому проектированию промышленных предприятий (фармацевтическая, медицинская, химическая, радиоэлектронная, приборостроительная, электротехническая промышленность), составу и содержанию технологического раздела проекта с целью выполнения требований технологического процесса и обеспечения выпуска продукции заданной номенклатуры и объема при соблюдении требований обязательных документов)
Страница 14
Страница 1 Untitled document
ГОСТ Р 56647—2015
3 С помощью СОМБП получают не только растровое изображение объекта, но и информацию о характери
стиках рельефа era поверхности, аналогичные тому, которые можно получить с помощью ACM (3,5.2) и других
методов зондовой микроскопии.
[ИСО 18115-2. статья 3.17]
3.5.5
растровая электронная микроскопия: РЭМ (Нрк.
с
к
анирующая эле
к
трон
мая ми
к
рос
к
опия; СЭМ):
Метод исследования структуры, состава и фор
мы объекта с помощью микроскопа, формирующего изображение объекта
путем сканирования его поверхности электронным зондом (электронным
пучком) и регистрации характеристик вторичных процессов, индуцируемых
электронным зондом (например, вторичная электронная эмиссия, обратное
рассеяние электронов и рентгеновское излучение).
[ИСО 17751. статья 4.10. определение термина изменено]
scanning
electron
microscopy;
SEM
3.5.6
просвечивающ ая электронная микроскопия; ПЭМ. Метод исследования
объекта с помощью микроскопа, формирующего изображение объекта или
его дифракционной картины электронным пучком (электронным зондом),
проходящим сквозь этот объект и взаимодействующим с ним.
[ИСО 29301:2010. статья 3.37. определение термина изменено]
transmission
electron
microscopy;
ТЕМ
3.5.7
исследования объекта с помощью микроскопа, формирующего изображение
объекта или его дифракционной картины сфокусированным электронным
пучком (электронным зондом), проходящим сквозь этот объект и взаимодей
ствующим с ним.
просвечивающ ая растровая электронная микроскопия: ПРЭМ: Методscanning
transmission
electron
microscopy;
STEM
П р и м е ч а н и я
1 Диаметр сфокусированного электронного пучка (электронного зонда) должен быть менее 1 нм.
2 С помощью ПРЭМ получают изображение поверхности и внутренней микроструктуры тонких образцов [или
мелких частиц (2.9)] объекта с высоким разрешением, а также исследуют особенности химических и структурных
характеристик участков микронных или субмикронных размеров объекта путем регистрации, например спектров
рентгеновского излучения, и формирования дифракционной картины.
[ИСО/ТС 10797, статья 3.10. определение термина изменено]
объекта с помощью микроскопа, формирующего изображение объекта или
его дифракционной картины упруго отраженными электронами низких энер
гий, генерируемыми электронным пучком без сканирования поверхности объ
екта.
3.5.8 микроскопия медленных электронов; ММЭ: Метод исследованияlow energy
electron
microscopy:
LEEM
П р и м е ч а н и я
1 ММЭ обычно применяют для получения информации об объектах, имеющих ровные чистые поверхности.
2 В ММЭ первичные электроны энергией от 1до 100 эВ попадают на исследуемый объект, а отраженные электро
ны формируют увеличенное изображение поверхности этого объекта.
3.5.9 растровая ионная микроскопия: Метод исследования объекта с помо-scanning ion
щью микроскопа, формирующего изображение путем сканирования поверх- microscopy
ности объекта сфокусированным ионным пучком диаметром от 0.1 до 1 им.
П р и м е ч а н и е В качестве источника ионов используют гелий, неон и аргон.
9