Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 18.11.2024 по 24.11.2024
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ Р 56647-2015; Страница 13

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ Р 56640-2015 Чистые помещения. Проектирование и монтаж. Общие требования Clean rooms. Design and construction. General requirements (Настоящий стандарт устанавливает общие требования к проектированию и монтажу чистых помещений с учетом их особенностей) ГОСТ Р 56649-2015 Техника ракетно-космическая. Электронная компонентная база иностранного производства. Порядок применения Space-rocket hardware. Electronic components of foreign manufacture. Order of application (Настоящий стандарт распространяется на порядок применения изделий электронной компонентной базы иностранного производства, используемых для создания радиоэлектронной аппаратуры ракетно-космической техники гражданского (научного и социально-экономического) и коммерческого назначения. Настоящий стандарт устанавливает:. - общий порядок и состав работ, проводимых при выборе и оценке правильности выбора и применения изделий электронной компонентной базы иностранного производства; . -перечень требований к изделиям электронной компонентной базы иностранного производства, которые должны быть заданы в техническом задании на разработку радиоэлектронной аппаратуры;. - классификацию изделий электронной компонентной базы по уровню качества;. - состав, форму и порядок заполнения документов для обоснования и разрешения применения изделий электронной компонентной базы иностранного производства; . - основные критерии выбора и оценки правильности выбора и применения изделий электронной компонентной базы иностранного производства;. - формы, виды и порядок заполнения перечней, определяющих номенклатуру изделий электронной компонентной базы иностранного производства; . - правила внесения в конструкторскую документацию наименований изделий электронной компонентной базы иностранного производства и обозначений документов, по которым их применяют. Перечень групп изделий электронной компонентной базы иностранного производства приведен в соответствии с приложением А. Настоящий стандарт является основой для разработки отраслевых нормативных и руководящих документов и нормативных документов предприятий) ГОСТ Р 56639-2015 Технологическое проектирование промышленных предприятий. Общие требования Process design for manufacturing facilities. General requirements (Настоящий стандарт устанавливает общие требования к технологическому проектированию промышленных предприятий (фармацевтическая, медицинская, химическая, радиоэлектронная, приборостроительная, электротехническая промышленность), составу и содержанию технологического раздела проекта с целью выполнения требований технологического процесса и обеспечения выпуска продукции заданной номенклатуры и объема при соблюдении требований обязательных документов)
Страница 13
Страница 1 Untitled document
ГОСТ Р 566472015
П р и м е ч а н и я
1 С помощью ACM можно исследовать объекты из проводниковых и диэлектрических материалов.
2 В процессе работы в некоторых атомно-силовых микроскопах (ACM) перемещают образец в направлении
осей
х, у, z,
а кантилевер остается неподвижным, в других ACM перемещают кантилевер, оставляя неподвиж
ным образец.
3 С помощью ACM можно выполнять измерения в вакуумной, жидкой или контролируемой газовой средах, и ис
следовать объекты с атомарным разрешением в зависимости от образца, размера кантилевера и кривизны его
острия, а также соответствующих настроек для получения изображений.
4 С помощью ACM в процессе сканирования регистрируют силы, действующие на кантилевер, например про
дольные и поперечные сипы, силы трения и сдвига. Методы ACM имеют наименования в зависимости от реги
стрируемой силы, например поперечно-силовая микроскопия. Термин «атомно-силовая микроскопия» является
общим термином для всех понятий методов силовой микроскопии.
5 ACM регистрирует в конкретных точках силы, действующие на кантилевер со стороны поверхности объекта, и
из массива пикселей генерирует изображение обьектз.
6 Для исследования нанообьектов применяют ACM с эффективным радиусом острия кантилевера менее 100
нм. В зависимости от материала исследуемого объекта суммарная сила между острием и объектом должна быть
приблизительно 0.1 мкН. в противном случав может произойти необратимая деформация поверхности
объекта и повреждение острия кантилевера.
3.5.3
сканирующ ая туннельная микроскопия. СТМ: СЗМ (3.5.1). применяемая
для исследования рельефа поверхности объекта с помощью микроскопа,
формирующего изображение путем регистрации данных о туннелировании
носителей заряда сквозь промежуток между исследуемым токопроводящим
объектом и сканирующим его поверхность токопроводящим зондом.
scanning
tunnelling
microscopy;
STM
П р и м е ч а н и я
1 С помощью СТМ можно выполнять измерения в вакуумной, жидкой или контролируемой газовой средах, ис
следовать объекты с атомарным разрешением в зависимости от образца и кривизны острия зонда и получать
информацию о плотности состояний атомов поверхности объекта.
2 Изображения могут быть сформированы на основе данных о высоте рельефа поверхности объекта при посто
янных значениях туннельного тока или о туннельном токе при постоянных значениях высоты рельефа поверхно сти
объекта, а также на основе других данных в зависимости от режимов взаимодействия зонда и поверхности
исследуемого объекта.
3 С помощью СТМ можно получить информацию о локальной туннельной проводимости (туннельной плотности
состояний) исследуемого объекта. Следует учитывать, что при изменении положения зонда относительно по
верхности объекта получают отличные друг от друга изображения рельефа одной и той же поверхности.
[ИСО 18115-2. статья 3.34]
3.5.4
сканирующ ая оптическая микроскопия ближнего поля; СОМБП;
ближне-
польная с
к
анирующая оптичес
к
ая ми
к
рос
к
опия: БСОМ:
Метод исследова
ния объекта с помощью светового микроскопа, формирующего изображение
объекта путем регистрации взаимодействия электромагнитного поля меж
ду объектом и оптическим зондом, сканирующим его поверхность, радиус
острия которого меньше длины излучаемой световой волны.
near-field
scanning optical
microscopy;
NSOM;
scanning
near-field optical
microscopy;
SNOM
П р и м е ч а н и я
1 Зонд микроскопа размещают вблизи поверхности исследуемого объекта и удерживают на постоянном рас
стоянии. Зонд совершает колебательное движение параллельно поверхности объекта, при этом регистрируют
изменения амплитуды и фазы отраженных сигналов и получают информацию о рельефе поверхности объекта. 2
Размер оптического зонда микроскопа зависит от размера отверстия (апертуры) диафрагмы, расположенной на
конце зонда. Отверстие диафрагмы имеет размеры в диапазоне от 10 до 100 нм. что и определяет разреша ющую
способность микроскопа. В зависимости от наличия или отсутствия диафрагмы на конце зонда СОМБП
разделяют на апертурные и безапертурные. В безапертурном СОМБП зонд представляет собой заостренное
оптическое волокно, покрытое слоем металла, с радиусом на конце от 10 до 100 нм.
8