ГОСТ Р 56787—2015
Т аб лиц а 13 — Сравнение новых типов тензодатчиков с металлическими наклеиваемыми тензодатчиками со
противления
Тип тензодатчика
Преимущества
Недостатки
Полупроводниковый
Меньше размером.
Менее дорогостоящий.
Выше удельное сопротивление
Повышенная чувствительность к ко
лебаниям температуры. Тенденция
к смещению. Нелинейное отноше
ние сопротивления к деформации
Тонкопленочный
Исключает необходимость адгезионного свя
зывания. Гораздо более стабильная установка
(меньшее смещению значений сопротивления).
Датчиком сипы напряжения может быть метал
лическая мембрана или стержень с осажденным
слоем керамической изоляции
При изготовлении применяется
осаждение напылением в вакууме
или метод напыления (несъемный
монтаж)
Диффузионный
Полупроводниковый
Исключает необходимость адгезионного связы
вания. Меньше размером.
Менее дорогостоящий.
Точность и повторяемость. Обеспечивает широ
кий диапазон давления.
Создает мощный выходной сигнал.
Ошибки из-за смещения и гистерезиса устра
нены
Повышенная чувствительность к
колебаниям наружной температуры
(отграничена условиями умеренных
температур). Измерения зачастую
требуют компенсации температуры.
При изготовлении применяется
метод фотолитографического ма
скирования (несъемный монтаж)
12.4 Использование актуальных стандартных документов
12.4.1 Рабочие характеристики тензодатчиков описаны в методах испытаний Е251. Конструкции испытатель
ного оборудования приведены. Описание методов определения пяти параметров тензодатчиков: (1) сопротивле
ние при исходной температуре, (2) коэффициент тензоустойчивости при исходной температуре. (3) температурный
коэффициент для коэффициента тензоустойчивости. (4) поперечная чувствительность и (5) тепловая мощность.
Данные методы испытаний не применимы к таким датчиках», как датчики нагружения и экстензометры.
использую щие наклеиваемые тензодатчики сопротивления в качестве чувствительных элементов.
12.4.2 Принципы установки и проверки тензодатчиков описаны в руководстве Е1237. Настоящий документ
не предназначен для насыпных или диффузионных полупроводниковых датчиков. Настоящий документ относит
ся только к тензодатчикам сопротивления, крепящегося при помощи клеящего вещества. Подробное описание
приведено по выбору датчика, методам склеивания, подготовке поверхности, установке датчика (общие аспекты
и аспекты применения клеящего вещества), соединению электропроводов, контрольным проверкам и защитным
покрытиям.
12.4.3 Вопросы, связанные с точностью бесконтактных систем измерения деформации (например, муаро
вая интерферометрия), и общие принципы количественного сравнения оптических систем описаны в руководстве
Е2208. Выходные сигналы от бесконтактной оптической системы измерения напряжения и деформации в общем
делятся на оптическиеданные и данные визуального анализа. Оптические данные содержат информацию,
связан ную с деформацией образца, процесс визуального анализа преобразует зашифрованную оптическую
информа цию в данные о деформации. В руководстве Е2208 описаны потенциальные источники ошибок в данных
о дефор мации. общие методы количественной оценки погрешности и определения точности измерений при
применении бесконтактных методов для изучения событий, для которых время оптической интеграции намного
меньше, чем обратное значение максимальной временной частоты в закодированных данных (т. е. события,
которые могут рас сматриваться в качестве статистики времени интеграции). В приложении приводятся краткое
описание примене ния. а также конкретные примеры, определяющие различные термины.
12.8 Материальные эталонные образцы
12.8.1 Важно понимать, что калибровка индивидуальных тензодатчиков невозможна. Не используйте тензо
датчики. если необходима калибровка и отслеживаемость до стандартов материальных эталонов.
ДА.13
13.1 Нормативные ссылки
13.1.1 Стандарты ASTM:2
Е1213 Метод испытания на минимальный разрешимый температурный перепад для систем формирования
ИК-изображений
Е1311 Метод испытания на минимальный определяемый температурный перепаддля систем формирования
ИК-изображений
Е1543 Метод испытания на перепад эквивалентной шумовой температуры систем формирования ИК-
изображений
58