Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 29.12.2025 по 04.01.2026
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ Р ИСО 10271-2014; Страница 11

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ Р ИСО 14155-2014 Клинические исследования. Надлежащая клиническая практика (В настоящем стандарте рассмотрена надлежащая клиническая практика планирования, проведения, документального оформления и представления результатов клинических исследований, проводимых с участием человека, для оценки безопасности или функциональных характеристик медицинских изделий в целях регулирования. Принципы, установленные в настоящем стандарте, также применимы ко всем прочим клиническим исследованиям, и их следует придерживаться, насколько это возможно, с учетом характера клинического исследования и национальных регулирующих требований. В настоящем стандарте определены общие требования, направленные:. - на защиту прав и обеспечение безопасности и благополучия людей;. - обеспечение использования научных подходов при проведении клинического исследования и обеспечение достоверности результатов клинического исследования;. - определение ответственности спонсора и ответственного исполнителя;. - содействие спонсорам, исследователям, этическим комитетам, регулирующим властям и другим органам, вовлеченным в оценку соответствия медицинских изделий. Настоящий стандарт не применим к медицинским изделиям для in vitro диагностики) ГОСТ Р ИСО/МЭК 10536-3-2004 Карты идентификационные. Карты на интегральных схемах бесконтактные. Часть 3. Электронные сигналы и процедуры восстановления Identification cards. Contactless integrated circuit(s) cards. Part 3. Electronic signals and reset procedures (Настоящий стандарт устанавливает характеристики полей, используемых для передачи энергии и двунаправленной передачи данных между терминальным оборудованием (CCD) и бесконтактными картами на интегральной(ых) схеме(ах) формата ID-1 по ГОСТ Р ИСО/МЭК 7810, взаимодействующими с CCD через его паз или поверхность. Стандарт не устанавливает требования к средствам генерирования полей связи, а также требования электромагнитной совместимости. Настоящий стандарт следует применять совместно с ИСО/МЭК 10536-1 и ГОСТ Р ИСО/МЭК 10536-2) ГОСТ ISO 14238-2014 Качество почвы. Биологические методы. Определение минерализации и нитрификации азота в почвах и влияние химических веществ на эти процессы (Настоящий стандарт устанавливает лабораторные процедуры для измерения минерализации и нитрификации азота почвенной микробиотой)
Страница 11
Страница 1 Untitled document
ГОСТ РИСО 102712014
X потенциал в милливольтах (SCE);
У логарифмический то*, выраженный в амперах на квадратный саигиметер:
SCE насыщенный хагюмелевый электрод.
потенциал открытой цепи, выраженный в милливольтах (SCE);
Е ^ - 150 мВ потенциал открытой цепи минус 150 мВ. выраженный в милливольтах (SCE);
Е, потенциал нулевого тока, выраженный а милливольтах (SCE);
£ с, первый активный пик потенциала, выраженный в милливольтах (SCE);
Е>сл потенциал открытой цепи плюс 300 мВ, выраженный в милливольтах (SCE);
Е
с2
второй активный пик потенциала, выраженный в милливольтах (SCE);
Ер — пробойный потенциал, выраженный а милливольтах (SCE);
/4| плотность тока, выраженная в амперах на квадратный сантиметр, соответствующая Ес};
/
jo
b
плотность тока, выраженная в амперах на квадратный сантиметр, соответствующая £ мо;
плотность тока выраженная в амперах на квадратный сантиметр, соответствующая Е о
Рисунок 4 — Логарифм плотности тока от потенциала
4.2.8 Протокол испытаний
Протокол испытаний должен содержать следующую информацию:
a) обозначение испытуемого металлического материала;
b
) режим термической обработки, если применяется;
c) температуру испытания (23 ± 2) °С. если испытания проводят при температуре 37 "С, — то
обоснование причины данного выбора;
d) записывают любые отклонения в процессе изготовления образца или процедуре испытаний;
e) потенциал разомкнутой цепи Еоср, выраженный в милливольтах (SCE);
f) кривую зависимости потенциала от логарифма плотности тока или кривую зависимости потен
циала от плотности тока;
д) нулевой потенциал тока Ег, выраженный в милливольтах (SCE);
h) потенциал пробивного напряжения Ер. выраженный в милливольтах (SCE). между Ег и Ер с
соответствующей плотностью тока /, выраженной в амперах на квадратный сантиметр;
i) потенциал активного пика Ес, выраженная в милливольтах (SCE);
j) плотность тока /30О. выраженная в амперах на квадратный сантиметр при потенциале
Е2 300 мВ (SCE);
k) любые значительные изменения вэлектролите или на поверхности металлического материала.
Если электрод сравнения отличается от насыщенного каломельного электрода (SCE). то записан
ные значения потенциала должны быть преобразованы в милливольты (SCE).
8