ГОСТ Р 55723-2013/ISO/TS 12805:2011
номер
Продолжение таблицы В.2
Порядковый
Характеристика
Метод
Краткое описание метода
2.4Среднийраз
мер и распреде
ление но разме
рампервичных
кристаллических
частиц
Дифракция
отраженных
электронов
(ДОЗ)
Просвечи
вающая элек
троннаямик
роскопия
(ПЭМ)
2.5Степень
агрега-
цни/агломерацнн
Растровая
электронная
микроскопия
(РЭМ)
Метод применяют для измерения размера
кристаллических частиц с помощью растрово
го электронного микроскопа, оборудованного
специальной камерой, позволяющей получать
дифракционные картины. Электроны взаимо
действуют с атомными плоскостями кристал
лической решетки образца, где выполняется
условие Брэгга, отражаются и вследствие этого
формируется изображение в микроскопе, соот
ветствующее освещаемому электронами участ
ку образца. Размер кристаллических частиц
определяют по полученному изображению.
Интенсивность дифракционного отражения за
висит от ориентации плоскостей кристалличе
ской решетки образца
Метод применяют для измерения размера
кристаллических частиц с помощью просвечи
вающего электронного микроскопа. Электроны
взаимодействуют с атомными плоскостями
кристаллической решетки образца, где выпол
няется условие Брэгга, отражаются и вследст
вие этого формируется изображение в микро
скопе, соответствующее освещаемому элек
тронами участку образца. Размер кристалличе
ских частиц определяют по полученному изо
бражению.Интенсивностьдифракционного
отражения зависит от ориентации плоскостей
кристаллической решетки образца
Анализ статических изображений выполня
ют в соответствии с ИСО 13322-1 (19)
2.6ПористостьЭлектрон
ная микроско
пия и анализ
изображений
Калибровку увеличения
полняют в соответствии с
изображений вы
ИСО 16700 [26J.
Анализ статических изображений выполняют в
соответствии с ИСО 13322-1 (19)
26