ГОСТ РИСО 16242—2016
b) интенсивность для выбранного параметра, например, площадь пика, высота пика, разностная
высота пиков, разностная высота пика относительно уровня фона (см. примечание);
c) подробная информация об элементах, включенных в количественный анализ, и элементах, на
меренно исключенных;
d) тип фонового сигнала, используемого при обработке данных, включая начальную и конечную
точки, если это применимо;
e) функция пропускания анализатора, используемые коэффициенты чувствительности и их ис
точник. например от изготовителя, внутренние стандарты, теория;
f) любые другие использованные поправочные термины и их обоснование, например, мертвое
время (время, в течение которого система не способна зарегистрировать новый фотон из-за обработки
результата воздействия предыдущего), энергетическое окно пропускания спектрометра, шероховатость
образца, матричные эффекты;
д) подробная информация об использованных методах обработки данных, таких как факторный
анализ или метод наименьших квадратов.
h) оценка погрешности в количественном анализе, рассмотренная, например, в ИСО 20903.
Примечание — Методы, используемые для определения интенсивности пиков, и информация, необхо
димая для составления протокола, описаны в ИСО 20903.
5.5 Профили распределения элементов по глубине
Профили распределения элементов по глубине могут быть представлены с помощью монтажа
спектров, каждый из которых соответствует определенной глубине; либо в виде профилей распре
деления по глубине, полученных из площади пиков; либо из измерения разности высот пиков, при
сутствующих на спектрах, полученных в результате вычисления производной. Если данные получены
количественно, следует принять в расчет факторы, перечисленные в 5.4, и отметить их там, где это
применимо. Кроме того, должен быть записан метод количественного определения глубины при выпол
нении профилирования по глубине с помощью ОЭС и послойного ионного распыления (глубину можно
оценить, используя скорость ионного распыления стандартного образца, такого как Ta2Os на тантале
или Si02 на кремнии при тех же условиях эксперимента; глубину можно также измерить непосредствен но
с помощью профилометра) (см. рисунки А.5 и А.6 приложения А).
Примечание — Измерение глубины распыления при профилировании по глубине описано в ИСО.ТО
15969.
При получении профилей распределения элементов по глубине из клиновидных сечений или кра
теров. имеющих вид мелких углублений, глубина может быть оценена путем геометрического расчета.
Следующая информация должна быть доступна и, если необходимо, предоставлена вместе с
профилями распределения элементов;
a) обозначение оси ординат, например, атомная доля (вместе с информацией о количественном
анализе, как приведено в 5.4) или номинальное число отсчетов, если использованы спектры, зареги
стрированные непосредственно;
b
) метки на оси ординат, показывающие атомную долю или. для спектра, зарегистрированного не
посредственно, число отсчетов или просто шкалу в условных единицах;
c) обозначение оси абсцисс, т. е. время распыления или расчетная глубина;
d) метки на оси абсцисс, показывающие время или глубину;
е) для профилей, полученных при ионном распылении, скорость распыления и материал, исполь
зуемый для калибровки скорости распыления;
f) информация об энергии ионного пучка и силе тока;
д) информация о площади образца, подвергшейся распылению, и о размерах области сканирова
ния, если это применимо.
5.6 Карты и линейные сканы
Если предоставляются Оже-карты или линейные сканы (см. приложение А, рисунок А.7). следу
ющая дополнительная информация в случае необходимости также должна быть предоставлена за
казчику (в случае, если информация предоставляется как часть профиля распределения элементов по
глубине, также следует включить информацию, перечисленную в 5.5);
а)идентификационные данные картированного ОЭС-лика и его энергия вместе с информацией о
методе удаления фона;
4