ГОСТ Р МЭК 60079-11—2010
1,5 раза превышающий максимально возможный ток короткого замыкания для искробезопасных цепей
уровня «ia» и «ib» и в 1,0 раза — для цепей уровня «ic»;
b) стабилитроны должны иметь:
1) в режиме стабилизации — полуторократный запас по мощности, которая может рассеиваться на
них;
2) в прямом направлении — полуторократный запас по максимальному току, который протекает в
месте их установки при повреждении на замыкание для искробезопасных цепей уровня «ia» или «ib» и
однократный запас по максимальному току для цепей уровня «ic».
Для искробезопасной цепи уровня «ia» применение управляемых полупроводниковых элементов в
качестве шунтирующих ограничителей напряжения, например транзисторов, тиристоров, стабилизаторов
напряжения и тока, и т. д., разрешается, если входная и выходная цепи являются искробезопасными или
будет доказано, что они не подвержены влиянию переходных процессов со стороны питающей сети. В
электрических цепях, выполненных в соответствии с вышеуказанными требованиями, устройства с дубли
рованием считают неповреждаемым блоком.
В связанном электрооборудовании для искробезопасной цепи уровня «ia» могут использоваться три
независимые полупроводниковые цепи с ограничителями действительного напряжения при условии соблю
дения требований 7.5.1. Электрические цепи с шунтирующими тиристорами должны быть дополнительно
испытаны в соответствии с 10.1.5.3.
7.5.3 Последовательные токоограничительные устройства
Допускается применение трех последовательно подключенных блокирующихдиодов в цепях уровня
«ia», однако другие полупроводники и управляемые полупроводниковые устройства должны применяться
в качестве последовательно подключенных токоограничительных устройств только в оборудовании с
цепью уровня «ib» или «ic».
Однако для ограничения по мощности в электрооборудовании с цепью уровня «ia» могут использо
ваться последовательные токоограничительные устройства, включающие в себя управляемые и неуправ
ляемые полупроводниковые устройства.
П р и м е ч а н и е — Применение полупроводников и управляемых полупроводниковых устройств в качестве
токоограничивающих устройств для оборудования уровня «ia» не допускается, потому что они могут использовать ся
в зонах, где постоянное или частое присутствие взрывоопасной среды может совпасть с кратковременным
переходным процессом, который может вызвать воспламенение. Максимальный ток может вызвать кратковре
менный переходный процесс, но не будет рассматриваться как /0, потому что выполнение условий испытания на
искровое воспламенение по 10.1 означает достаточное ограничение энергии этого переходного процесса.
7.6 Повреждение элементов, соединений и разделений
Для уровней «ia» и «ib» , если нагрузка на элемент соответствует 7.1, его повреждение должно рас
сматриваться как учитываемое. Для уровня «ic», если нагрузка на элемент соответствует 7.1, он считается
неповреждаемым.
Применение требований по 5.2 и 5.3 должно учитывать следующее:
a) если нагрузка на элемент не соответствует 7.1, его повреждение должно рассматриваться как
неучитываемое. Если нагрузка на элемент соответствует 7.1, его повреждение должно считаться учитыва
емым;
b
) если какое-либо повреждение может привести кдругому повреждению или нескольким поврежде
ниям, то первичное и последующие повреждения должны рассматриваться как одно повреждение;
c) резисторы должны рассматриваться как повреждаемые на замыкание, размыкание и принимаю
щими любое значение сопротивления (дополнительно см. 8.4);
Для термической оценки пленочные и проволочные резисторы, работающие до 100 % номинальной
мощности, не считаются повреждаемыми при более низком сопротивлении;
d) полупроводниковые устройства считают повреждаемыми на замыкание, размыкание и переход в
режимы, к которым они могут быть приведены в результате повреждения других элементов;
-для оценки температуры поверхности следует рассматривать повреждение любого полупроводнико
вого устройства в условиях, когда оно рассеивает максимальную мощность. Однако для диодов (включая
светодиоды истабилитроны), используемых всоответствии с требованиями 7.1, должна учитываться толь
ко мощность, которую они рассеивают в прямом направлении или в зенеровском режиме, если он приме
няется;
- интегральные схемы могут повреждаться таким образом, что между их внешними выводами может
иметь место любая комбинация замыканий (размыканий). Однако если повреждение выбрано, оно не мо
жет изменяться, например, путем приложения второго повреждения. В случае введения указанных выше
36