Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 29.12.2025 по 04.01.2026
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ Р МЭК 61646-2013; Страница 34

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ Р МЭК 61194-2013 Системы фотоэлектрические автономные. Эксплуатационные характеристики (Настоящий стандарт распространяется на автономные фотоэлектрические системы и устанавливает основные электрические, механические и экологические характеристики систем для описания и анализа при их эксплуатации) ГОСТ Р МЭК 61683-2013 Системы фотоэлектрические. Источники стабилизированного питания. Методы определения эффективности (Настоящий стандарт представляет собой общее руководство по определению эффективности источников стабилизированного питания, используемые в автономных и работающих совместно с электрическими сетями фотоэлектрических системах, где на выходе источника стабилизированного питания–стабильное напряжение переменного тока постоянной частоты или стабильное напряжение постоянного тока) ГОСТ Р МЭК 61724-2013 Системы фотоэлектрические. Мониторинг эксплуатационных характеристик. Методы измерения, способ передачи и обработки данных (Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические системы и устанавливает требования к мониторингу их эксплуатационных характеристик, а также методы измерения, способы передачи и обработки данных)
Страница 34
Страница 1 Untitled document
ГОСТ РМЭК 616462013
10.18.4 Метод 2
Метод 2 заключается в следующем:
a) электрически замыкают любые блокирующие диоды в модуле;
b
) определяют ток короткого замыкания модуля при СУИ исходя из маркировки или инструкции;
c) подключают провод к VDи /0 к обоим контактам диода, как показано на рисунке 8;
d) рекомендуется, чтобы эти подключения были выполнены производителем модуля.
ЭлементЭлемент
П р и м е ч а н и е Питающим превод не должен вызывать рассеяние тепла от коробки выводов.
Рисунок 8 — Температурное испытание шунтирующего диода
e) помещают модуль в камеру с температурой до (30
±
2) °С до тех пор. пока температура моду
ля не стабилизируется;
f) подают импульсный ток (импульс 1 мс). равный току короткого замыкания модуля при СУИ.
измеряют прямое напряжение диода
g) тем же способом измеряют Ум при (50
±
2) вС;
h) тем же способом измеряют Уоэ при (70
±
2) X ; i)
тем же способом измеряют Ум при (90
±
2) X ;
j) затем получают зависимость Ус от значений Т^п по методу наименьших квадратов для У0),
2
Vc, . УЬз и Уем.
П р и м е ч а н и е Эта зависимость Vb от Тр.„ может быть предоставлена производителем диода вме
сте с сертификатом:
l
k) нагревают модуль до температуры плюс (75
±
5) X . Подают на модуль ток. равный току ко
роткого замыкания модуля, измеренному при СУИ
±
2 %. Через 1 ч измеряют прямое напряжение ка
ждого диода;
) используя зависимость VDот Тр.п, приведенную в перечислении j). получают Гр^диода во вре
мя испытания в перечислении к);
т ) увеличивают значение подаваемого тока до 1.25 значения тока короткого замыкания модуля,
измеренного при СУИ. поддерживая температуру модуля на уровне (75 5) X ;
п) поддерживают подачу тока в течение 1 ч;
о) удостоверяются, что после окончания испытаний диод все еще находится в рабочем состоя
нии.
10.18.5 Окончательные измерения
Повторяют измерения 10.1 и 10.3.
10.18.6 Требования
Требования следующие:
- температура р-п перехода диода, определенная в перечислении f) 10.18.3 или в перечислении
I) 10.18.4. не должна превышать указанную производителем максимальную температуру р-п перехода
диода, определенную «для продолжительной работы»:
30