ГОСТ РМЭК 61646—2013
ленном модуле при испытаниях, и не обязан быть рабочим модулем. Однако он должен предостав
лять возможность измерять температуру диода в ходе испытаний. Тогда испытание проводят обыч
ным способом. Данный специальный образец должен быть использован только для температурного
испытания шунтирующего диода, и не должен быть подвергнут иным испытаниям, указанным в схеме
проведения испытаний.
10.18.2 Оборудование
Требуется следующее оборудование:
a) средства для нагрева модуля до температуры плюс (75
±
5) °С;
b
) средства для измерения и регистрации температуры модуля с точностью
±
1 °С;
c) средства для измерения температуры любых шунтирующих диодов, поставляемых вместе с
модулем.
Измерение температуры диода может быть проведено напрямую с помощью температурного
сенсора или путем измерения температурного коэффициента падения напряжения через диоды.
Следует минимизировать любые изменения свойств диода или схем его теплообмена,
d) средства для измерения напряжения на шунтирующих диодах с точностью 0.2 %;
e) средства для подачи тока значением, равным 1.25 значения тока короткого замыкания моду
ля. измеренного при СУИ во вромя испытания, и средства для контроля тока в модуле во время ис
пытания.
10.18.3 Метод 1
Метод 1 заключается в следующем:
a) электрически замыкают любые блокирующие диоды в модуле;
b
) определяют номинальный ток короткого замыкания модуля при СУИ. исходя из маркировки
или инструкции;
c) измеряют температуру и напряжение шунтирующих диодов во время испытания;
d) подсоединяют провода минимально допустимого производителем сечения к электрическим
выводам модуля. Действуют в соответствии с рекомендациями производителя для монтажа выводов и
заменяют крышку соединительной коробки.
П р и м е ч а н и е — Некоторые модули имеют перекрывающие контуры шунтирующих диодов. В таком
случав может потребоваться вставить перемычку, чтобы весь ток шел через один шунтирующий диод.
e) нагревают модуль до температуры плюс (75
±
5) ®С. Подают на модуль ток. равный току ко
роткого замыкания модуля, измеренный при СУИ с точностью
±
2 %. Через 1 ч измеряют температуру и
напряжение каждого шунтирующего диода;
f) используя предоставленную производителем диода информацию, вычисляют температуру р-п
перехода по измеренной температуре корпуса и мощности, рассеянной диодом, по следующей фор
муле:
7р.п =
Г««п +
Ятнк ’
У о
’ fo.
(
3
)
где Гр^ — температура р-п перехода диода;
рп— температура корпуса диода;
R n * — предоставленное производителем значение отношения температуры р-п перехода к
температуре корпуса;
V0 — напряжение диода;
/с — ток диода.
П р и м е ч а н и е — Если модуль содержит теплоотвод, специально спроектированный для понижения
рабочей температуры диода, данное испытание допускается проводить при температуре, которую достигает те
плоотвод при условиях 1000 Вт м-2. (43
±
3) ’С окружающей температуры и в отсутствие ветра до 75 *С;
д) увеличивают значение подаваемого тока до 1,25 значения тока короткого замыкания модуля,
измеренного при СУИ. поддерживая температуру модуля (75
±
5) °С. Поддерживают подачу тока в
течение 1 ч;
h) удостоверяются, что диод по-прежнему находится в рабочем состоянии.
П р и м е ч а н и е — Работоспособность диода может быть удостоверена последующим испытанием на
местный перегрев (10.9).
29