Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 29.12.2025 по 04.01.2026
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ Р МЭК 61646-2013; Страница 22

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ Р МЭК 61194-2013 Системы фотоэлектрические автономные. Эксплуатационные характеристики (Настоящий стандарт распространяется на автономные фотоэлектрические системы и устанавливает основные электрические, механические и экологические характеристики систем для описания и анализа при их эксплуатации) ГОСТ Р МЭК 61683-2013 Системы фотоэлектрические. Источники стабилизированного питания. Методы определения эффективности (Настоящий стандарт представляет собой общее руководство по определению эффективности источников стабилизированного питания, используемые в автономных и работающих совместно с электрическими сетями фотоэлектрических системах, где на выходе источника стабилизированного питания–стабильное напряжение переменного тока постоянной частоты или стабильное напряжение постоянного тока) ГОСТ Р МЭК 61724-2013 Системы фотоэлектрические. Мониторинг эксплуатационных характеристик. Методы измерения, способ передачи и обработки данных (Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические системы и устанавливает требования к мониторингу их эксплуатационных характеристик, а также методы измерения, способы передачи и обработки данных)
Страница 22
Страница 1 Untitled document
ГОСТ РМЭК 616462013
c) начиная с одной из граней модуля используют непрозрачную ширму для полного затенения
одного фотоэлемента.
Перемещают ширму параллельно элементам, увеличивая площадь затенения модуля (число
затененных фотоэлементов) до тех пор. пока значение тока короткого замыкания не уменьшится до
области значений тока максимальной мощности в незатененном модуле. В таких условиях макси
мальная мощность рассеивается в выбранной группе фотоэлементов:
d) медленно перемещают непрозрачную ширму (того же размера, как и в перечислении с) над
модулем и следят за током короткого замыкания модуля. Если при определенном положении значе ние
тока короткого замыкания выходит за пределы интервала значений тока максимальной мощности
незатененного модуля, начинают уменьшать площадь ширмы небольшими шагами до тех пор. пока ток
максимальной мощности не восстановится. Во время этого процесса степень освещенности не
должна изменяться более чем на
±
2 %;
e) окончательная ширина ширмы определяет минимальную площадь затенения, которая приво
дит к наихудшим условиям затенения. Эта затененная область должна быть использована для испы
тания на местный перегрев:
f) убирают ширму и визуально проверяют модуль;
П р и м е ч а н и е Операция обратного смещения р перехода в перечислении d) гложет привести к
неисправности фотоэлемента, о чем свидетельствуют неравномерные пятна на поверхности модуля. Эти дефек ты
могут вызвать снижение максимальной выходной мощности;
д) вновь измеряют вольт-ампериую характеристику модуля и определяют максимальную мощ
ность Ртлл2\
h) закрывают ширмой выбранный модуль и создают в нем короткое замыкание:
i) вновь подвергают модуль освещению от 800 до 1000 Втм 2. Данное испытание должно быть
проведено при температуре модуля в пределах (50
±
10) С. Отслеживают значение /0 и поддержи
вают модуль в режиме рассеивания максимальной мощности. При необходимости заново регулируют
область затенения для поддержания / в пределах, указанных в перечислении а);
j) поддерживают эти условия в течение всего времени освещения 1ч;
k) в конце этого испытания определяют самые горячие места на затененных фотоэлементах с
помощью датчика температуры.
10.9.5.2 Способ ПС
Способ ПС заключается в следующем:
a) подвергают иезатененный модуль освещению от источника света в диапазоне от 800 до
1000 Вт м"2. После стабилизации температуры измеряют вольт-амперную характеристику модуля и
определяют максимальную мощность Pmaxi;
b
) замыкают выводы модуля и случайным образом выбирают не менее 10 % параллельных бло
ков в модуле. Затеняют увеличивающуюся область блока до тех пор, пока не будет определена мак
симальная температура с помощью термографа или других соответствующих средств:
c) вновь измеряют вольт-амперные характеристики модуля и определяют максимальную мощ
ность Ртм2-
d) создают тень, как описано в перечислении Ь). и поддерживают эти условия в течение всего
времени освещения 1ч;
е) в конце испытания определяют самые горячие места на затененных фотоэлементах с помо
щью соответствующего термометра.
10.9.5.3 Способ СП
Способ СП заключается в следующем:
а)подвергают незатененный модуль освещению от источника света в диапазоне от 800 до
1000 Вт м"2. После стабилизации температуры измеряют вольт-амперные характеристики модуля и
определяют область значений тока максимальной мощности [lin < / < 1 ^), где Р > 0.99 Ртах1;
18