ГОСТ РМЭК 61646—2013
10.8.2 Оборудование
Требуется следующее оборудование:
a) измеритель солнечного излучения с погрешностью измерения менее чем ♦ 50 Вт м’2;
b
) средств для крепления модуля в соответствии с рекомендациями производителя в одной
плоскости с измерителем солнечного излучения;
c) резистивные нагрузки с такими параметрами, чтобы при СУИ модули работали в режиме,
близком к точке максимальной мощности.
10.8.3 Метод
Метод заключается в следующем:
a) присоединяют резистивные нагрузки для испытуемого модуля и устанавливают его под от
крытое небо в соответствии с рекомендациями производителя в одной плоскости с измерителем сол
нечного излучения.
Л
юбые рекомендованные производителем устройства, защищающие от послед
ствий частичного затенения, должны быть установлены до начала испытания;
b
) подвергают модуль освещению с суммарным значением 60 кВт ч м’2в соответствии с показа
ниями измерителя солнечного излучения при условиях, соответствующих общим климатическим ус
ловиям. определенным в МЭК 60721-2-1.
10.8.4 Окончательные измерения
Повторяют измерения 10.1,10.2 и 10.3.
10.8.5 Требования
Требования следующие:
- отсутствие признаков основных видимых дефектов, указанных в разделе 7;
- значение максимальной выходной мощности при СУИ должно превышать минимальное значе
ние номинальной мощности, определенное производителем;
- сопротивление изоляции должно соответствовать требованиям к сопротивлению изоляции, ус
тановленным при начальных измерениях.
10.9 Испытание на стойкость к частичному затенению
10.9.1 Цель
Целью данного испытания является определение способности модуля выдерживать локальный
перегрев, ведущий, например, к расплавлению пайки или нарушению герметизации. Такие дефекты
могут быть вызваны неисправностью фотоэлементов, затенением или загрязнением.
10.9.2 Эффект местного перегрева
Местный перегрев происходит в модуле, когда его рабочий ток превышает уменьшенный ток ко
роткого замыкания /„ затененного или неисправного фотоэлемента или их группы. В таких условиях в
подвергшемся воздействию фотоэлементе или их группе возникает обратносмещенный переход и
рассеивается мощность, что может вызвать перегрев.
П р и м е ч а н и я :
1 Как правило, шунтирующие диоды не включаются в контур последовательно соединенных фотоэлемен
тов. Поэтому реверсивное напряжение затененных фотоэлементов не ограничено, и напряжение модуля может
стать причиной возникновения обратносмещенного перехода в группе фотоэлементов.
2 Краткосрочное затенение, произошедшее до начала испытаний, может негативно повлиять на характе
ристики модуля. Следует четко различать эффекты, наблюдаемые при исследованиях, направленных на опре
деление наихудших условий, и испытаниях на устойчивость к частичному затенению. С этой целью регистрируют
значения Рп.„, Р„« 2и Р™*».
3 Несмотря на то. что абсолютную температуру и относительную потерю мощности не считают критериями
для данного испытания, применяются наиболее жесткие условия частичного затенения, чтобы подтвердить
безопасность конструкции.
Рисунок 3 иллюстрирует эффект местного перегрева в модуле, состоящем из последовательно
го соединения фотоэлементов, при полном затенении разного числа фотоэлементов. Значение рас
сеиваемой мощности равно произведению тока модуля и обратного напряжения в группе затененных
фотоэлементов. Вне зависимости от уровня освещенности рассеивание максимальной мощности на
блюдается в том случае, когда обратное напряжение в группе затененных фотоэлементов становится
равным напряжению от оставшихся освещенными фотоэлементов модуля (наихудшее условие зате
нения).
Это тот случай, когда ток короткого замыкания затененного модуля становится равным току
максимальной мощности незатененного модуля.
16