ГОСТ Р 56649—2015
Т а б л и ц а Б.2- Обозначение уровней стойкости полупроводниковых приборов к поглощенной дозе
Обозначение
Поглощенная доза. Kpan(Si)
Стойкость к нейтронному излучению
(потоку)
М
D
Р
L
R
F
G
Н
3
10
30
50
100
300
500
1000
Б.5.3 Уровни стойкости к полной накопленной дозе компонентов, квалифицированных по спецификациям
ЕКА. указаны в [14]. В таблице Б.З приведена градация уровней стойкости компонентов, квалифицированных по
спецификациям ЕКА кпоглощенной дозе и их обозначения.
Т а б л и ц а Б.З - Обозначение уровней стойкости компонентов ЭКБ ИП к поглощенной дозе по стандарту ЕКА
___________
Поглощенная доза. рад(Б0Поглощенная доза. Tp(Si)
111L______
Обозначение
_______________________________________ _______________________________
МЗк30
D10к100
Е20к200
РЗОк300
F50к500
RЮОк1000
АЗООк3000
G500к5000
НЮООк10000
Б.5.4 Стойкость к воздействию ВЭП и ТЗЧ и значение ЛПЭ. высоконадежных изделий ЭКБ ИП. чувстви
тельных к одиночным эффектам, указана в частных (детальных) спецификациях и в других документах, в соот
ветствии с которыми применяют компонент.
Б.5.5 В квалификационных наименованиях изделий ЭКБ ИП стойкость к воздействию ВЭП и ТЗЧ не указа
на.
Б.5.6 В стандарте организации ASTM (США) [12]. стандартах ЕКА [13] и организации JEDEC [14] указаны
виды и классификация одиночных эффектов, к которым чувствительны компоненты ЭКБ ИП и методы испытаний
компонентов на стойкость к этим эффектам.
Б.5.7 По характеру воздействия на изделия ЭКБ ИП одиночные эффекты (Sing event effect. SEE) разделя
ют на две группы:
- необратимые эффекты, которые приводят к катастрофическим отказам компонентов:
- обратимые эффекты (сбои), которые к катастрофическим отказам не приводят и восстанавливаются при
выключении питания РЭА.
Б.5.7.1 К необратимым одиночным эффектам относятся:
-одиночный эффект радиационного защелкивания (Single event Latchup. SEL) вызывается включением
паразитных тиристорных структур при попадании ТЗЧ вчувствительный обьем полупроводникового компонента:
- одиночный микродозовый эффект (Single Event Hard Error. SEHE). Необратимое изменение функциони
рования отдельных битов в микросхемах статической или динамической памяти;
- одиночный эффект выгорания (Single event Burnout. SEB) в мощных МДП-транзисторах;
-одиночный эффект пробоя подзатворного диэлектрика (Single event Gate Rupture. SEGR) в МДП-
транзисторах при прохождении ТЗЧ через область подзатворного диэлектрика:
- одиночный эффект вторичного пробоя (Single event snapback, SESB) в /Y-канальных МДП-транзисторах
за счет вторичного пробоя паразитного биполярного л-р-л транзистора, вызванный воздействием ТЗЧ.
Б.5.7.2 К обратимым одиночным эффектам относят:
- обратимые одиночные сбои (Single event upset. SEU) в компонентах, содержащих логические элементы,
проявляющиеся в виде потери информации в отдельных элементах;
-одиночные эффекты функционального прерывания (Single event functional interropt. SEFI) в сложных
цифровых микросхемах, таких как микропроцессоры, микросхемы программируемой логики и т. д.;
- одиночные эффекты вследствие импульсной переходной ионизационной реакции (Single event transient.
SET). Проявляются в виде бросков тока в выходных цепях аналоговых микросхем и в оптоэлектронных приборах,
генерации ложного цифрового кода в микросхемах АЦП и помех на выходе ЦАЛ.
Б.5.8 Чувствительность высоконадежных компонентов ЭКБ ИП к одиночным эффектам при воздействии
ВЭП и ТЗЧ определяют в зависимости от функционального назначения компонента и технологии его изготовле
ния по стандарту ЕКА [16].
40