ГОСТ Р 56649—2015
Б.4 Уровни качества и квалификационные наименования изделий, изготовленных и квалифициро
ванных по спецификациям ЕКА
Б.4.1 Уровни качества изделий ЭКБ ИП. квалифицированных по спецификациям ЕКА приведены вчастных
(детальных) спецификациях на конкретные изделия. Для всех изделий кроме гибридных микросхем установлены
два класса уровня качества «В» и «С».
Оба класса уровня качества определяют изделия ЭКБ ИП космического назначения, уровня качества
Space.
Изделия ЭКБ ИП. квалифицированные на класс уровня качества В. подвергают более жестким испытани
ям.
Обьем отбраковочных и квалификационных испытаний изделий ЭКБ ИП установлен в общих и частных
спецификациях ЕКА.
Б.4.2 Для гибридных микросхем, квалифицированных по спецификациям ЕКА в соответствии со специфи
кацией ЕКА (2], установлены классы уровней качества 1и 2.
6.4.3 Квалификационные наименования изделий ЭКБ ИП приведены в частных (детальных) специфика
циях ЕКА.
Квалификационное наименование изделия состоит из обозначения частной (детальной) спецификации,
обозначения варианта исполнения и обозначения уровня качества:
ХХХХХХХXX X
’?’
г г
-
в позиции 1указано обозначение частной спецификации;
- в позиции 2 указано обозначение варианта исполнения;
- в позиции 3 указано обозначение уровня качества.
П р и м е ч а н и е - Вариант исполнения может характеризовать тип корпуса и покрытие выводов ком
понента и (или) другие технические характеристики компонента.
Пример - 510701601В.
П р и м е ч а н и е - 510701601В
-
обозначение варикапа, изготовленного и квалиф ицированного
по частной (детальной) спецификации ЕКА ESCC DS 5107/016 с уровнем качества В. вариантом испол
нения 01, номинальной емкостью 6,8 пФ, коэффициентом перестройки 2,7.
Пример - 510701603В.
П р и м е ч а н и е - 510701603В - обозначение варикапа, изготовленного и квалифицированного
по частной (детальной) спецификации ЕКА ESCC DS 5107/016 с уровнем качества В, вариантом испол
нения 03. номинальной емкостью 12 пФ, коэффициентом перестройки 2.8.
Б.5 Уровни радиационной стойкости изделий ЭКБ ИП
Б.5.1 Уровни стойкости к поглощенной дозе микросхем, квалифицированных по военным спецификациям
США, указаны в [4] и [5]. В таблице Б.1 приведена градация уровней стойкости микросхем к поглощенной дозе и
их обозначения. Уровни радиационной стойкости включают в состав квалификационного наименования микро
схем. как указано в Б.2.3.
Т а б л и ц а Б.1- Обозначения уровней стойкости микросхем к поглощенной дозе
Обозначение
-М
D
Р
L
R
F
G
Н
Поглощенная доза. Kpafl(Si)
Нерадиационно-сгойкая
3
10
30
50
100
300
500
1000
Б.5.2 Уровни стойкости к поглощенной дозе полупроводниковых приборов, квалифицированных по воен
ным спецификациям США, указаны в [6]. В таблице Б.2 приведена градация уровней стойкости полупроводнико
вых приборов к поглощенной дозе и их обозначения. Уровни радиационной стойкости полупроводниковых при
боров включают в состав квалификационного наименования, как указано в 7.3.3.
39