Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 18.11.2024 по 24.11.2024
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ Р 56649-2015; Страница 18

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ Р 56647-2015 Нанотехнологии. Часть 6. Характеристики нанообъектов и методы их определения. Термины и определения Nanotechnologies. Part 6. Сharacteristics of nano-objects and methods for determination. Terms and definitions (Настоящий стандарт является частью серии стандартов ИСО/TС 80004 и устанавливает термины и определения понятий в области нанотехнологий, относящихся к характеристикам нанообъектов и методам их определения) ГОСТ Р 56639-2015 Технологическое проектирование промышленных предприятий. Общие требования Process design for manufacturing facilities. General requirements (Настоящий стандарт устанавливает общие требования к технологическому проектированию промышленных предприятий (фармацевтическая, медицинская, химическая, радиоэлектронная, приборостроительная, электротехническая промышленность), составу и содержанию технологического раздела проекта с целью выполнения требований технологического процесса и обеспечения выпуска продукции заданной номенклатуры и объема при соблюдении требований обязательных документов) ГОСТ 33536-2015 Изделия кондитерские. Метод определения количества мезофильных аэробных и факультативно-анаэробных микроорганизмов Сonfectionery. Method for quantity determination of mesophilic aerobic and facultative-anaerobic microorganisms (Настоящий стандарт распространяется на кондитерские изделия и кондитерские полуфабрикаты (далее - продукт) и устанавливает метод определения количества мезофильных аэробных и факультативно-анаэробных микроорганизмов (КМАФАнМ) - бактерий, дрожжей и плесневых грибов методом глубинного посева в агаризованные питательные среды с использованием специальных приемов снижения ползучего роста микроорганизмов)
Страница 18
Страница 1 Untitled document
ГОСТ Р 566492015
ческой ЭКБ ИП.
Примеры
1Enhanced Industrial
2 Industrial
3 Commercial
4 Инженерный образец.
Для изделий ЭКБ ИП. для которых температурный диапазон отличен от указанного в Б.8.2, в
скобах приводят температурный диапазон, приведенный в документе, в соответствии с которым при
меняют изделие.
Примеры
1Enhanced Industrial (-40 °С; *110 °С)
2 Industrial (-30 °С; *85 °С).
8.9.4 В графе «Обозначение документа, в соответствии с которым применено изделие», указы
вают:
а) для квалифицированных изделий ЭКБ ИП - обозначение стандарта, общей и (или) частной
(детальной) спецификации, в которой указаны квалификационное наименование, уровень качества,
технические характеристики, требования, предъявляемые к изделию, область и условия применения
изделия.
Примеры
1MIL-PRF-38535, SMD-5962-06234
2 MIL-PRF-38534, SMD-5962-06221
3 MIL-PRF-19500/685
4 ESCC DS No 5201/014;
б) для неквалифицированных изделий ЭКБ ИП, обозначение контрольной спецификации заказ
чика. спецификации производителя или иного документа, в котором установлены наименование, тех
нические характеристики и требования к изделию ЭКБ ИП.
Примеры
1DSCC Dwg No 05006
2 SCDHMH16012013
3 Datasheet
4 Catalogue.
8.9.5 В графе «Фирма-изготовитель (страна происхождения)» указывают наименование фирмы-
производителя и название страны, в которой расположен главный офис (штаб-квартира) производи
теля.
Примеры
1 АегоЛех, (США)
2 STMicroelectronics, (Франция).
8.9.6 В графе «Наличие в перечнях квалифицированных изделий (изготовителей)» указывают
обозначение перечня квалифицированных изделий ЭКБ ИП. в который внесено данное изделие.
Примеры
1QPL-38535
2 QPL-19500
3 EPPL.
8.9.7 В подграфах графы «Данные no PC к» указывают данные по радиационной стойкости,
приведенными в документах, в соответствии с которыми применено изделие ЭКБ ИП или в протоко лах
испытаний, проведенных производителем компонента, потребителем компонента или сторонней
организацией:
а) в подграфе «поглощенная доза» указывают стойкость изделия ЭКБ ИП к воздействию по
глощенной дозы с указанием типа полупроводника, из которого изготовлено это изделие.
Пример - 300 Kpad(Si);
б) в подграфе «ВЭП и ТЗЧ» указывают значение величины ЛПЭ, для которой отсутствуют оди
ночные эффекты при воздействии ВЭП и (или) ТЗЧ на изделие ЭКБ ИП.
Пример - 60 (SEL).
П р и м е ч а н и е - Число обозначает значение величины ЛПЭ. в скобках указывают вил одиночного
эффекта:
в) в подграфе «эффект смещения» указывают стойкость изделия ЭКБ ИП к эффектам смеще
ния.
Пример - 5*109 протон/смг, (10 МэВ).
14