ГОСТ Р 56649—2015
- N- уровень качества военного назначения. Class N;
- в позиции 6 указывают тип корпуса микросхемы.
П р и м е ч а н и е - Типы корпусов указываются в частной (детальной) спецификации на микросхему:
- в позиции 7 указывают вид покрытия выводов микросхемы:
- для монолитных микросхем предусмотрены следующие виды покрытия выводов, которые обозначаются
соответствующими буквенными символами:
1) А - горячее лужение припоем с погружением.
2) В - гальваническое покрытие сплавом олово-свинец.
3) С - гальваническое покрытие золотом.
4) D - покрытие палладием.
5) Е- покрытие золотом по палладию,
6) X - любой тип покрытия А. В или С. указанный вчастной спецификации;
- для гибридных микросхем предусмотрены следующие виды покрытия выводов, которые обозначают со
ответствующими буквенными символами:
1) А - горячее лужение припоем с погружением.
2) В - гальваническое покрытие сплавом олово-свинец.
3) С - гальваническое покрытие золотом.
4) X - любое покрытие А. В или С. когда тип покрытия может быть любым.
Пример - 5962R9673802VXA.
П р и м е ч а н и е - Квалификационное наименование означает: микросхема монолитная, содержит че
тыре компаратора; стойкая к полной накопленной дозе 100 Крад{Б0 при низкоинтенсивном облучении 10 мРад/с;
предназначенная для космического применения, класс уровня качества Class V; поставляется в четырнадцати
выводном корпусе GDFP1-G14 для поверхностного монтажа, с выводами типа крыло чайки; покрытие выводов
способом горячее лужение припоем с погружением.
Пример - 5962L0253802VZA.
П р и м е ч а н и е - Квалификационное наименование означает: микросхема монолитная, содержит 12-
битный АЦП; скорость преобразования 41 Мбит/с; стойкая к полной накопленной дозе 50 Kpafl(Si) при низкоин
тенсивном облучении 10 мРад/с: предназначена для космического применения; класс уровня качества Class V; в
28-выводном корпусе CDFP3-F28 с выводами, предназначенными для формовки; выводы покрыты способом го
рячее лужение припоем с погружением.
Пример - 5962-0625102KYC.
П р и м е ч а н и е - Квалификационное наименование означает: микросхема гибридная, содержит высо
коскоростной ШИМ контроллер: радиационная стойкость не подтверждена; для космического применения: чер
теж корпуса приведен в спецификации; выводы покрыты гальваническим золотом.
Б.З Уровни качества и квалификационные наименования полупроводниковых приборов, изготов
ленных и квалифицированных по военным спецификациям
Б.3.1 Для полупроводниковых приборов квалифицированных по военным спецификациям США в соответ
ствии с (6) установлены следующие уровни качества:
- JANS - уровень качества полупроводниковых приборов космического назначения. Space;
- JANTXV - уровень качества полупроводниковых приборов военного назначения. Military, прошедших
электротермотренировку и визуальный контроль:
- JANTX - уровень качества полупроводниковых приборов военного назначения. Military, прошедших
электротермо тренировку;
- JAN - уровень качества полупроводниковых приборов военного назначения. Military.
Б.3.2 Для квалифицированных по военным спецификациям полупроводниковых приборов высокой
надежности уровни радиационной стойкости приведены в Б.5.2.
Б.3.3 В квалификационном наименовании полупроводникового прибора обозначение уровня радиацион
ной стойкости указывают после обозначения уровня качества.
Пример - JANSR.
П р и м е ч а н и е - Квалификационное обозначение полупроводникового прибора космического назна
чения с радиационной стойкостью 100 Kpafl(Si).
Б.3.4 Полное наименование квалифицированного полупроводникового прибора, указанное в частной (де
тальной) спецификации, состоит:
- из обозначения уровня качества;
- обозначения уровня радиационной стойкости;
- цифробуквенного обозначения типономинала полупроводникового прибора, состав и структура которого
36