ГОСТ Р 53734.3.3—2016
Для предотвращения возможного повреждения компонента необходимо предпринять меры пре
досторожности для обеспечения нахождения зарядного механизма и компонента на потенциале земли
перед началом выполнения предварительного подключения. Не менее 1 МОм зарядного сопротивле ния
должно физически подаваться в непосредственной близости к зарядному штырю с целью исклю чения
воздействия остаточного заряда на линию зарядки. Допускается размещение зарядного зонда на
зарядном штыре в ходе процесса зарядки при условии соблюдения требований, касающихся форм
импульса и изложенных в разделе 7.
5.1.1 Модули с несколькими кристаллами или иные специальные компоненты (например. КНС-
структура. КНД-структура или гибридные ИС) должны заряжаться через общий штырь источника пита
ния для того, чтобы весь компонент имел зарядный потенциал.
П р и м е ч ан и е — Для модулей с несколькими кристаллами, которые не имеют общего штыря, не реко
мендуется использование метода прямой зарядки.
5.1.2 Если вы не знакомы с технологическим процессом, заряжайте компонент через подложку
или штырь заземления. Ведите записи по использованию зарядных штырей при составлении отчетов о
полученных результатах.
5.1.3 Диэлектрический слой — это непроводящий или изоляционный материал, используемый
для создания емкостной цепи между пластиной возбуждения и испытуемым образцом.
5.2 Метод индуктивной зарядки
Поместите испытуемый компонент на пластину возбуждения. Увеличьте потенциал компонента
путем увеличения потенциала пластины возбуждения. Разрядите устройство через один штырь. По
вторяйте выполнение действий до тех пор. пока все штыри будут подвергаться нагрузке, включая все
штыри источника питания.
5.2.1 Размер пластины возбуждения (как минимум более чем в семь раз превышающий размер ис
пытуемого компонента) должен быть таковым, чтобы характеристика формы импульса соответствовала
требованиям, изложенным в разделе 7. Пластину возбуждения следует соединять с источником электро
питания или землей через резистор, сопротивление которого превышает 100 МОм (см. рисунок 1).
5.2.2 Размер пластины заземления должен быть таковым, чтобы она полностью закрывала все
устройство во время испытания устойчивости любого из штырей с допустимым пределом по размеру
принимаемых во внимание краевых полей.
5.2.3 Толщина диэлектрического слоя, покрывающего пластину возбуждения, должна быть не ме
нее 130 микрон (мкм). так как наличие диэлектрика уменьшает емкость на корпус между компонентом
и пластиной возбуждения, что оказывает влияние на ток разряда. Примите все необходимые меры для
того, чтобы компоненты не заряжались до начала проведения испытаний.
5.3 Метод разрядки
Бесконтактный метод разрядки описан в приложении А.
5.4 Устройство для испытаний на устойчивость к ЭСР по модоли заряженного устройства
На рисунке 1 показана принципиальная схема проверки при проведении испытаний на устой
чивость к электростатическому разряду модели заряженного устройства индуцированным методом.
Устройство должно обеспечивать требования по характеристикам форм импульса, установленным на
рисунках 4 и 5 и в таблицах 3 и 4. К1 — переключатель между зарядкой пластины возбуждения и ее
заземлением.
П р и м е ч ан и е — При составлении схемы размещения используемого испытательного оборудования сле
дует минимизировать влияние паразитных эффектов в каналах зарядки и разрядки, так как паразитные сопротив
ления индуктивности и электрической емкости (RLC) оборудования существенным образом влияют на результаты
проведенных испытаний.
3