Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 29.12.2025 по 04.01.2026
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ Р 53734.3.3-2016; Страница 4

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ Р ИСО/МЭК 22536-2016 Информационные технологии. Телекоммуникации и обмен данными между системами. Интерфейс и протокол связи ближнего поля (NFCIP-1). Методы тестирования интерфейса RF (Настоящий стандарт входит в комплекс стандартов, описывающих тесты для ИСО/МЭК 18092. Он определяет методы испытаний для радиочастотного интерфейса. Настоящий стандарт описывает методы радиочастотных испытаний для NFCIP-1 устройств с антеннами в пределах прямоугольного участка со сторонами 50 на 40 мм. Настоящий стандарт устанавливает испытания на соответствие для радиочастотного интерфейса устройств ИСО/МЭК 18092. Вспомогательный стандарт испытаний ИСО/МЭК 23917 описывает проверки протокола для ИСО/МЭК 18092) ГОСТ 30796-2001 Вагоны дизель-поездов. Технические требования для перевозки инвалидов Diesel train cars. Technical requirements for carrying of invalids (Настоящий стандарт распространяется на вагоны дизель-поездов пригородного сообщения, предназначенные для перевозки, в том числе в креслах-колясках, пассажиров-инвалидов, состояние здоровья которых ограничивает их способность к передвижению) ГОСТ 33796-2016 Моторвагонный подвижной состав. Требования к прочности и динамическим качествам (Настоящий стандарт распространяется на моторвагонный подвижной состав колеи 1520 мм, предназначенный для эксплуатации на железных дорогах государств, принявших стандарт, и устанавливает требования к его прочности и динамическим качествам, а также виды испытаний и объем расчетов показателей динамики и прочности)
Страница 4
Страница 1 Untitled document
ГОСТ Р 53734.3.32016
Введение
Модели электростатического разряда (далее ЭСР). описанные в ГОСТ Р 53734.3.1 и
ГОСТ Р 53734.3.2. описывают ЭСР. которые происходят с заряженного предмета на чувствительный к
ЭСР компонент (далее ЧЭСР). Однако в связи с возрастающим объемом использования авто
матизированных систем обработки компонентов в последнее время все чаще приобретает важность
другой потенциально опасный механизм разряда модель заряженного устройства (далее МЗУ).
Компонент в модели МЗУ заряжается (например, скользя по поверхности (трибоэлектриэация) или с
помощью электростатической индукции электрического поля] и стремительно разряжается аналогично
любому проводнику.
Точно определить наступление момента разряда с заряженного устройства представляется чрез
вычайно сложным либо невозможным по причине инерционности измерительного оборудования и его
влияния на процесс разрядки. Процесс разряда по модели заряженного устройства длится чаще всего
несколько наносекунд и при этом наблюдается максимальный ток до десятков ампер. Пиковый ток.
присутствующий в ЧЭСР. существенным образом зависит от большого количества факторов, включая
тип корпуса интегральной схемы. Последствиями ЭСР по модели МЗУ могут быть различные наруше
ния. Наиболее распространено повреждение изоляционного слоя.
Чувствительность компонента к ЭСР по модели МЗУ зависит от типа корпуса. Кристалл инте
гральной схемы (далее ИС). находящийся в малогабаритном корпусе (SOP), может быть в большей
степени восприимчив к повреждению МЗУ по сравнению с кристаллом в корпусе с двухрядным рас
положением выводов (DIL). Минимальный порог чувствительности имеют ИС в тонких малогабаритных
корпусах (TSOP) или в плоских корпусах с матричным расположением штырьковых выводов (PGA).
Порог чувствительности компонента к ЭСР по модели МЗУ играет определяющую роль для разра
ботки рекомендаций по защите. При выполнений обычных рекомендаций по ГОСТ Р 53734.5.1 не воз
никает проблем с применением компонентов с порогом чувствительности 1000 В и более, при пороге
500 В и монее разрушительные последствия могут иметь место. Применение современного подхода к
организации средств электростатической защиты делает ее эффективной даже при пороге чувстви
тельности компонентов 250 В и менее.
ГУ