ГОСТ Р 53734.3.3—2016
3Термины и определения
В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ Р 53734.3.1. ГОСТ Р 53734.3.2. а также сле
дующие термины с соответствующими определениями.
3.1 модель заряженного устройства. МЗУ (charge device model; CDM): Модель воздействия
электростатическим разрядом, которая приближенно создает явление разряда, возникающее, когда за
ряженный компонент быстро разряжается на другой объект с более низким электростатическим потен
циалом через сигнальный штырь или контакт.
3.2 устройство для испытаний образца на устойчивость к ЭСР (tester): Оборудование, со
стоящее из средств измерений, испытаний и вспомогательных устройств, которое имитирует явление
электростатического разряда по модели МЗУ на образец чувствительного к ЭСР компонента.
3.3 пластина возбуждения (field plate): Проводящая пластина, используемая для увеличения по
тенциала испытуемого образца путем установления емкостной связи.
3.4 пластина заземления (ground plate): Проводящая пластина, используемая для образования
контура, предназначенного для заземления и разрядки испытуемого образца.
4 Классификация компонентов по ЭСР модели МЗУ
Компоненты, чувствительные к ЭСР (ЧЭСР). классифицируются в соответствии с пороговым на
пряжением при ЭСР. генерируемым в соответствии с настоящим стандартом. Классификационные
уровни компонентов, чувствительных к ЭСР. при использовании модели заряженного устройства пред
ставлены в таблице 1.
Т аб лица 1 — Классификационные уровни компонентов, чувствительных к ЭСР. прииспольэовании модели за
ряженного устройства
Класс
Диапазон напряжения
С1
<125 В
С2
от 125 до < 250 В
СЗ
от 250 до < 500 В
С4
от 500 до < 1000 В
С5
от ЮОО до < 1500 В
С6
от 1500 до < 2000 В
С7
г 2000 В
П р и м е ч ан и е
— При создании напряжения свыше 1500 В в зависимости от геометрических размеров
корпуса компонента может возникать эффект короны, ограничивающий фактическое предразрядное напряжение
и разрядный ток.
5 Оборудование
Для создания потенциала компонента с целью последующего разряда по модели заряженного
устройства возможно применять метод прямой или индукционной зарядки.
5.1 Метод прямой зарядки
Компонент, подвергающийся проверке, помещают на пластину возбуждения и заряжают через
штырь, который наилучшим образом создает гальванический контакт с подложкой либо основным ма
териалом компонента, или посредством одновременного использования всех штырей. Общее зарядное
сопротивление (см. рисунок 1) должно составлять не менее 100 МОм. Контакт с зарядным штырем
должен устанавливаться до начала повышения напряжения. Каждый штырь разряжается поочередно
(включая штыри источника электропитания и заземления), за исключением штырей, подсоединенных к
подложке. Повторно заряжайте компонент после разрядки каждого штыря.
2