ГОСТ Р 56980-2016
2) Устанавливают датчики измерения температуры испытуемого образца и датчики измерения
температуры всех шунтирующих диодов или одновременно испытуемых диодов (см. этап 5).
Примечание 1— Если измерение температур проводят бесконтактным способом, например с помощью
ИК-камеры, установка датчиков температуры не требуется.
Примечание 2 — Датчики устанавливают на ту часть шунтирующего диода, тепловое сопротивление
между которой и переходом указано изготовителем всопроводительной документации или может быть найдено по
типу диода (как правило, это корпус диода).
Примечание
3 — Одновременно могут быть установлены датчики температуры блокирующих диодов.
4 — Если используется замещающий образец, датчики могут быть установлены при его
Примечание
изготовлении.
3) Устанавливают средства нагрева испытуемого образца.
4) Подключают приборы для измерения температуры шунтирующих диодов и температуры ис
пытуемого образца.
5) Подключают положительный выход источника питания постоянного тока к отрицательным вы
водам испытуемого образца и отрицательный выход источника питания постоянного тока к положи
тельным выводам испытуемого образца с использованием проводов минимального сечения из реко
мендованного изготовителем диапазона. Вводы в коммутационную коробку должны быть выполнены в
соответствии с рекомендациями изготовителя, после чего она должна быть закрыта. При такой схеме
соединений ток будет протекать через фотоэлектрические элементы в обратном направлении, а через
диод — в прямом.
Во время испытаний через каждый шунтирующий диод, участвующий в испытаниях, должен про
текать ток, равный току, подаваемому на испытуемый образец. Если в испытуемом образце установле но
несколько шунтирующих диодов, для обеспечения указанного условия может потребоваться уста новка
перемычки(чек) или переключателя.
Примечание — Как правило, это условие соблюдается, если ток протекает только через один шунтиру
ющий диод.
6) Подключают приборы для измерения тока.
7) Нагревают испытуемый образец до температуры (75 ± 5) °С и поддерживают ее на этом уровне
в течение всего времени испытаний. В течение 1 ч подают на испытуемый образец ток, равный току
короткого замыкания испытуемого образца, измеренному при СУИ, ± 2 %. Через 1 ч измеряют темпера
туру каждого шунтирующего диода, принимающего участие в испытаниях.
8) Определяют тепловое сопротивление и максимальную допустимую температуру перехода шун-
тирующих/блокирующих диодов по сопроводительной документации или типу диодов. По измеренной
температуре корпуса либо другой части диодов, на которую установлены датчики (см. примечание 2
этапа 2), рассчитывают температуру перехода каждого шунтирующего диода, участвовавшего в этапах
испытаний 5) — 7). с помощью следующего выражения:
Т
пор
= 7
кор
+ R
Опер-кор
U
пр
I
пр ’
(
6
)
где ^пер
7*ор
^опер-кор
— температура перехода диода;
— измеренная температура корпуса диода;
— указанное изготовителем значение теплового сопротивления переход-корпус:
Unр— постоянное прямое напряжение диода при /рр;
/пр— постоянный прямой ток диода; /ПРравен подаваемому на испытуемый образец току
(току короткого замыкания испытуемого образца, измеренному при СУИ ± 2 %).
Примечание — Если в испытуемом образце установлен радиатор теплоотвода, специально пред
назначенный для снижения рабочей температуры диода(ов), испытания могут быть проведены не при 75 "С. а
при температуре, которой достигает радиатор теплоотвода при 1000 Вт/м2. температуре окружающей его
среды (43 ± 3) °С и отсутствии ветра.
Рассчитанная температура перехода шунтирующего диода не должна превышать заданную из
готовителем максимальную допустимую температуру перехода. Если это условие выполняется, пере
ходят к следующему этапу испытаний.
40