ГОСТ Р 56251—2014
4
0,08 ми
I •
Зона А
Пуаогы в
металлизации
Зона В —
— »-j Зона В |—
Пустоты в
Расслоение
0,08 ми
Зона АЗона/»
Рисунок 120
П р и м е ч а н и я
1 Термическая зона простирается в диэлектрическом основании на расстояние 80 мкм как от края внеш
ней. так и внутренней контактной площадки металлизированного отверстия.
2 Дефекты диэлектрика на участках зоны
А
не оценивают на образцах, подвергшихся термической нагруз
ке или имитации доработки.
3 Расслоения и вздутия оценивают как в зоне
А,
так и в зоне
В.
4 Дефекты основания, обнаруженные в областях, не подлежащих контролю, например, на микрошлифах,
не оценивают до и после термического воздействия или имитации доработки.
На рисунке 121 показано однородное по структуре диэлектрическое основание многослойной
печатной платы. Предпочтительно для классов 1. 2, 3.
Рисунок 121
На рисунке 122 показано диэлектрическое основание с дефектами. Допустимо для классов 1, 2,
3.
Пустоты и трещины для классов 2 и 3 — не более 80 мкм. для класса 1 — не более 115 мкм. ес
ли они не снижают минимальный диэлектрический зазор. Общая суммарная длина пустот и трещин в
одном слое платы между двумя соседними металлизированными отверстиями не должна превышать
установленных норм.
50