ГОСТ Р МЭК 62209-1—2008
3.30 ушная раковина (pinna): Выступающая часть внешнего уха. состоящая, главным образом, из
хрящевой ткани, включающая в себя завиток, мочку и противозавиток.
3.31 мощность (power): См. 3.2, 3.7.
3.32 изотропия зонда (probe isotropy): Степень независимости реакции зонда, предназначенногодля
измерения электрического или магнитного поля, от поляризации и направления распространения падаю
щей волны.
3.33 относительная диэлектрическая проницаемость (relative permittivity)*,: Отношение комп
лексной диэлектрической проницаемости к проницаемости свободного пространства. Комплексная относи
тельнаядиэлектрическая проницаемость
изотропной, диэлектрической среды с линейным затуханием описывается выражением:
где е0 — диэлектрическая проницаемость вакуума равна 8.854 ■10’12Ф/м (диэлектрическая постоянная);
е — комплексная диэлектрическая проницаемость. Ф/м;
£, — комплексная относительная диэлектрическая проницаемость;
е’ — вещественная часть комплексной относительнойдиэлектрической проницаемости (также называ
емая диэлектрической постоянной);
£" — мнимая часть комплексной относительной диэлектрической проницаемости (коэффициент ди
электрических потерь), отражающая диэлектрические потери;
о — проводимость. См/м;
to — угловая частота, рад/с;
tg 5 — тангенс угла потерь.
3.34 время реакции (response time): Время, необходимоедля достижения измерительным обору
дованием 90% результирующего значения после ступенчатого изменения входного сигнала.
3.35 сканирующая система (scanning system): Система автоматического позиционирования, спо
собная устанавливать измерительный зонд в указанные положения.
3.36 чувствительность (измерительной системы) (sensitivity (ofa measurement system)]: Отноше
ние значения отклика системы (например, изменения напряжения) к значению измеряемой величины (на
пример. напряженности электрического поля в квадрате).
3.37 глубина проникания поля (skin depth): Расстояние от границы среды до точки, в которой значе
ние напряженности поля или плотности индуцированного тока уменьшается до 1/е значения на границе
(в — основание натурального логарифма, е =2,71826).
Глубина проникания поля бдля конкретной среды зависит от коэффициента распространения элект
ромагнитной волны ’/вдоль направления распространения [56]. Коэффициент распространения зависит от
диэлектрических свойств материала и характеристик распространяющейся нормальной волны (моды).
Глубину проникания поля можно описать соотношением
где коэффициент у= а * /р. а — коэффициент затухания, р — коэффициент фазы распространяющейся
волны, и
где ц и £— магнитная проницаемость и комплексная относительная диэлектрическая проницаемость сре
ды соответственно. а— коэффициент поперечного распространения моды. Таким образом:
5 -
Re[y]-
у2 = - о 2ц£ + к;
2
5