ГОСТ Р 57436—2017
34 сток (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора,
через который из канала вытекают носители заряда.
35 затвор (полевого транзистора): Электрод полевого транзисто
ра. на который подается электрический сигнал.
36 структура (полупроводникового прибора): Последователь
ность граничащих друг с другом областей полупроводника с различ
ными типами электропроводности или значениями электрической
проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым
прибором его функций.
Примечания
1Примеры структур полупроводниковых приборов: р-п; п-р-п; р-п-р:
p-i-n: p-n-р-n идр.
2 В качестве областей могут быть использованы металл и диэлек
трик.
37 структура металл-диэлектрик-лолупроводник: структура
МДП: Структура, состоящая из последовательного сочетания ме
талла. диэлектрика и полупроводника.
38 структура металл-окисел-полупроводник; структура МОП:
Структура, состоящая из последовательного сочетания металла и
окисла (на поверхности полупроводника), иполупроводника.
39 мезаструктура: Структура, имеющая форму выступа, образо
ванного удалением периферийных участков кристалла полупрово
дника. либо наращиванием полупроводникового материала.
de
drain eines feldeffekttransistors;
drain
en
drain of a field-effect transistor:
drain
fr
drain dun transistor a effet de
champ; drain
de
gate eines feldeffekttransistors:
gate
en
gate of a field-effect transistor
gate
fr
grille d’un transistor a effet de
champ; grille
Aufbau der Halbleiterbauelement
de
en
structure of a semiconductor
device: structure
fr
structure de dispositif
semiconducteur
de
Metall-lsolator-Halbleiter-Struktur;
MIH-Struktur
en
metal-insulator-semiconductor
structure:
fr
MIH structure:
structure metal-di6tectrique-
semiconducteur
de
Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur.
MOH-Struktur
en
fr
metal-oxide-semiconductof
structure:
MOS structure:
structure metai-oxyde-semi-
conducteur. MOS
de
en
fr
Mesastruktur
mesastructure
structure mesa
40 обедненный слой: Слой полупроводника, в котором концентра-
ция основных носителей заряда меньше разности концентраций ио-
низованных доноров и акцепторов.
de
еп
.
de
еп
41 запирающий слой (Нрк. запорный спой). Обедненный слой меж-
ду двумя областями полупроводника с различными типами электро-
проводности или между полупроводником и металлом.
verarmungsschicht
depletion layer
couche d’appauvrisse-ment:
couche de depletion
Sperrschiicht
barner layer
couche barriere
42 обогащенный слой: Слой полупроводника, в котором концен
трация основных носителей заряда больше разности концентраций
ионизованных доноров и акцепторов.
de
ел
fr
Anreicherungsschlicht
enriched layer
couche enrichie
35