ГОСТ Р 57436—2017
117 анодный вывод диода [тиристора]: Вывод диода [ти
ристора]. через который прямой ток протекает из внешней
электрической цепи.
dethyristor dioden anode-
nauschluss
епanode leed of thyristor diode
frborne anodique de thyristor
118 управляющий вывод тиристора: Вывод тиристора, че
рез который протекает только ток управления.
dethyristor steuerausgang
елcontrol lead of thyristor
frborne commande de thyristor
119 подложка: Материал, в объеме или на поверхности кото
рого формируют или монтируют полупроводниковый прибор.
desubstrat
ensubstrate
frsubstrat
120 пластина: Тонкая пластина из полупроводникового мате
риала. на поверхности которой с помощью технологических
операций формируется массив дискретных полупроводнико
вых структур.
de wafer
en wafer
frplaquette: wafer
dechip
enchip die
121 кристалл: Часть пластины, в объеме или на поверхности
которой сформированы элементы, межэлементные соедине
ния и контактные площадки полупроводникового прибора.
frpuce; pastille
122 корпус (полупроводникового прибора): Элемент кон
струкции полупроводникового прибора, предназначенный
для установки в него кристалла с подключением контактных
площадок к внешним выводам, с целью обеспечения эксплу
атационных характеристик полупроводникового прибора и
применения его по назначению.
de gehause
en package
frboitier
123 бескорлусной полупроводниковый прибор (Нрк. ло-
лулроводни
к
овая стру
к
тура): Полупроводниковый прибор.
не защищенный корпусом и предназначенный для использо
вания в гибридных интегральных микросхемах, герметизиру
емых блоках и аппаратуре.
degehauseloses
halbleiterbauelement
enbeam lead semiconductor
device
frdispositif semiconducteur sans
boitier
124 контактная площадка (полупроводникового прибо
ра): Металлизированный участок на подложке, кристалле
или корпусе полупроводникового прибора, служащий для
присоединения выводов компонентов и кристаллов, пере
мычек. а также для контроля его электрических параметров и
режимов.
deBoudstelle
enbond pad
frplot de soudure
14