ГОСТ Р 57436—2017
50 полевой транзистор с управляющим р-п переходом:de
Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов,
электрически отделенных от канала р-п переходом, смещен-еп
ным в обратном направлении.
fr
51 полевой транзистор с изолированным затвором: По-de
левой транзистор, имеющий один или несколько затворов,
электрически изолированных от канала. еп
fr
52 N-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор.de
у которого канал проводимости N-типа. еп
fr
53 Р-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор.de
у которого канал проводимости P-типа. вп
fr
дник; МОП-транзиетор: Полевой транзистор с изолирован
ным затвором, в котором в качестве изоляционного слояеп
между каждым металлическим затвором и каналом исполь зуется
оксид. ,
55 полевой транзистор со структурой металл-диэлек-de
трик-полупроводник; МДП-транзистор: Полевой транзистор
с изолированным затвором, в котором в качестве изоляцион-еп
нога слоя между каждым металлическим затвором и прово дящим
каналом используется диэлектрик.{г
56 полевой транзистор с барьером Шоттки: Полевой тран-de
эистор, имеющий один или несколько затворов, которые вы
полнены в виде барьерного контакта типа Шоттки.еп
fr
57 полевой транзистор обедненного типа: Полевой тран-de
зистор. имеющий проводимость канала при нулевом сме щении
затвор-исток, в котором проводимость канала можноеп
снизить, подавая напряжение затвор-исток необходимой по
лярности и величины.{
sperrschicht-
feldeffekttransistor
junction-gate field-effect
transistor
transistor a effet de champ
ё junction de grille
isolierschicht-feldeffekt-
transistor; IGFET
insulated-gate field-effect
transistor
transistor ё effet de champ ё
grille isole
N-kanal-feldeffekttranssistor
N-channel field-effect
transistor
transistor ё effet de champ
a canal N
P-kanal-feldeffekttranssistor
P-channel field-effect
transistor
transistor ё effet de champ
ё canal P
54 полевой транзистор типа металл-оксид-полупрово-defeldeffekttransistor mit
metalloxid-halbleiter
metal-oxide-semiconductor
field effect transistor
transistor ё effet de champ
metal-oxyde-semiconducteurs
feldeffekttransistor mit
metall-halbleiter
MIS-transistor
transistor ё effet de champ
metal-semiconducteurs
feldeffekttransistor mit
SCHOTTKY-barriere
field-effect transistor with
Schottky barrier
transistor ё effet de champ &
barridre de Schottky
feldeffekttransistor vom
verarmungstyp
depletion type field-effect
transistor
transistor a effet de champ ё
appauvrissement
7