ГОСТ Р 57436—2017
10 точечный переход: Р-п переход, все размеры которого меньше
характеристической длины, определяющей физические процессы в
переходе и в окружающих его областях.
Примечание — Характеристической длиной может быть толщи
на области пространственного заряда, диффузионная длина и т.д.
11диффузионный переход: Р-п переход, полученный врезультате
диффузии атомов примеси в полупроводнике.
12 планарный переход: Р-п переход, образованный в результате
диффузии примеси сквозь открытую область в защитном слое, на
несенном на поверхность полупроводника.
13 конверсионный переход: Р-п переход, образованный в резуль
тате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией
примеси в соседнюю область или активацией атомов примеси.
14 сплавной переход (Нрк. вплавнод переход): Р-п переход, обра
зованный врезультате вплавления в полупроводник и последующей
рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и
(или) акцепторные примеси.
15 микросплавной переход (Нрк. ми
к
ровплавной переход): Сплав
ной переход, образованный в результате вплавления на малую Шу
бину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на по
верхность полупроводника.
16 выращенный переход (Нрк. тянутый переход): Р-п переход,
образованный при выращивании полупроводника из расплава.
17 эпитаксиальный переход: Р-п переход, образованный эпитак
сиальным наращиванием.
Примечание — Эпитаксиальное наращивание — создание на
монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняю
щего кристаллическую структуру подложки.
18 гетерогенный переход; гетеропереход: Электрический переход,
образованный в результате контакта полупроводников с различной
шириной запрещенной зоны.
19 гомогенный переход; гомопереход: Электрический переход, об
разованный в результате контакта полупроводников с одинаковой
шириной запрещенной зоны.
20 переход Шоттки: Р-п переход, образованный в результате кон
такта между металлом и полупроводником.
21 выпрямляющий переход: Р-п переход, электрическое сопро
тивление которого при прямом направлении тока значительноболь
ше. чем при обратном.
deSpitzenubergang
елpoint-contactjunction
frjonction ponctuele
dediffundierter Obergang
endiffusedjunction
frjonction pardiffusion
dePlanariibergang
enplanarjunction
frjonction planar
dekonversionsubergang
enconversionjunction
frjonction de conversion
delegierter Obergang
enalloyedjunction
frjonction paralliage
demikrolegieiter Obergang
enmicroalloyjunction
fimicrojonction paralliage
degezogener Obergang
engrownjunction
frjonction partirage
deEpitaxialubergang
enepitaxial junction
frjonctionepifaxiale
deHeteroiibergang
enheterogeneousjunction
frjonction h6terogene;
heterojonction
deHonxjiibergang
enhomogeneousjunction
frjonction homogene
deSchottky-Obergang
enSchottkyjunction
frSchottkyjonction
degleicbrichtender Obergang
enrectifyingjunction
frjonction rectifiante
22 эмиттерный переход: P-n переход между областями эмиттера
и базы транзистора.
deemitteriibergang;
emitter-basis-zonenubergang
елemitterjunction
frjonctionemetteur
33