ГОСТ Р 57436—2017
23 коллекторный переход: Р-п переход между базой и коллекто
ром транзистора.
24 полупроводник: Материал, величина электропроводности кото
рого. обусловленная носителями заряда обоих знаков, обычно на
ходится в диапазоне между электропроводностью металлов и изо
ляторов. а концентрация носителей заряда может изменяться под
воздействием внешних факторов.
25 полупроводник п-типа: Полупроводник с преобладающей элек
тропроводностью п-тила.
26 полупроводник p-типа: Полупроводник с преобладающей элек
тропроводностью р-типа.
27 база (Нрк. базовая область): Область транзистора между эмит-
терным и коллекторным переходами.
28 эмиттер {Нрк. эмиттерная область): Область транзистора меж
ду эмиттерным переходом и эмиттврным электродом.
29 коллектор (Нрк.
к
олле
к
торная область): Область транзистора
между коллекторным переходом и коллекторным электродом.
30 активная часть базы: Часть базы биполярного транзистора, в
которой накопление или рассасывание неосновных носителей за
ряда происходит за время большее, чем время их перемещения от
эмиперного перехода к коллекторному переходу.
31 пассивная часть базы: Часть базы биполярного транзистора, в
которой для накопления или рассасывания неосновных носителей
заряда необходимо время больше, чем время их перемещения от
эмиперного перехода к коллекторному переходу.
32 канал (полевого транзистора): Область полевого транзистора,
в которой происходит перенос основных носителей заряда.
Примечания
1 Данное понятие не следует смешивать с «каналом утечки», воз
никающим в месте выхода р-п перехода на поверхность кристалла.
2 Канал гложет быть п или p-типа. в зависимости от типа электро
проводности полупроводника.
33 исток (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора,
через который в канал втекают носители зарода.
dekollektorubergang;
kollektor-basis-zoneniibergang
collector junction
епjonction collecteur
dehalbleiter
епsemiconductor
frsemiconducteur
deN-halbleiter
епN-type semiconductor
frsemiconducteur type N
deP-halbleiter
епP-type semiconductor
frsemiconducteur type P
debasis: basiszone
епbase
frbase
deemitter; emitterzone
enemitter
fremetteur
dekollektor; kollektorzone
encollector
frcollecteur
deAktivteil der Basis
enactive part of the base
frpartie de base actif
dePassivteil der Basis
enpassive part of the base
frpartie de base passif
dekanal ernes feldeffekttransistors:
kanal
enchannel of a field-effect transistor,
channel
fr canal d’un transistor a effet de
champ: canal
desource ernes feldeffekttransistors:
source
ensource of a field-effect transistor;
source
frsource d un transistor a effet de
chan»p: source
34