Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 29.12.2025 по 04.01.2026
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ IEC 62341-1-2-2016; Страница 9

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ 7307-2016 Детали из древесины и древесных материалов. Припуски на механическую обработку Parts of wood and of wood materials. Machining allowances (Настоящий стандарт распространяется на детали из древесины и древесных материалов и устанавливает припуски на первичную и повторную механическую обработку по толщине, ширине и длине при изготовлении деталей из пиломатериалов и заготовок хвойных и лиственных пород, сборочных единиц типа щитов, рамок, коробок и ящиков, а также припуски на обработку по длине и ширине при изготовлении гнуто-клееных заготовок и деталей из них, заготовок (облицовок) из строганого и лущеного шпона, деталей, элементов из облицованных и необлицованных столярных, древесно-стружечных, древесно-волокнистых плит сухого и мокрого способов производства фанеры, ламинированных напольных покрытий и декоративных панелей для стен из древесно-волокнистых плит сухого способа производства) ГОСТ Р 53394-2017 Интегрированная логистическая поддержка. Термины и определения Integrated Logistic Support. Terms and Definitions (Настоящий стандарт устанавливает термины и определения основных понятий, используемых в области интегрированной логистической поддержки процессов технической эксплуатации изделий и других объектов техники. Термины, установленные в настоящем стандарте, обязательны для применения во всех видах документации, входящей в область применения стандарта) ГОСТ Р 57394-2017 Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Методы ускоренных испытаний на безотказность Integrated circuits and semiconductor devices. Methods of accelerated tests for non-failure operation (Настоящий стандарт устанавливает методы ускоренных испытаний на безотказность полупроводниковых интегральных микросхем и полупроводниковых приборов (далее - изделий), предусматривающие форсирование режимов эксплуатации)
Страница 9
Страница 1 Untitled document
ГОСТ IEC 62341-1-2—2016
П р и м е ч а н и е Внешняя квантовая эффективность определяется как результирующая внутренней
квантовой эффективности/внутреннего квантового выхода и внешней световой выводной эффективности.
2.3.6 флуоресцентный выход/эффективность флуоресцентного выхода (fluorescent yield,
fluorescent yield efficiency): Отношение количества флуоресцентных фотонов, деленное на количество
фотонов, поглощаемых веществом.
2.3.7 флуоресценция (fluorescence): Испускание света веществом в возбужденном синглетном
состоянии.
2.3.8 барьер инжекции (injection barrier): Энергетический (потенциальный) барьер инжекции
носителя на интерфейсе какого-либо органического слоя и другого органического слоя или на интер
фейсе какого-либо органического слоя иэлектрода.
2.3.9 внутренняя квантовая эффективность/внутренний квантовый выход (internal quantum
efficiency): Отношение количества фотонов, создаваемых электрическими зарядами, исходящими из
электрода, деленное на количество инжектируемых электронов илидырок.
П р и м е ч а н и е Внутренняя квантовая эффективность/внутренний квантовый выход определяется как
результирующая вероятности рекомбинации электронов и дырок, эффективности генерации экситонов через
рекомбинацию носителей и эффективности генерации фотонов из экситонов.
2.3.10 оптическая ось (optical axis): Отчетливое направление в оптически анизотропных вещес
твах иэлементах, например, в поляризаторах, волновых пластинахи фазовыхпластинках.
2.3.11 фосфоресцентныйвыход,эффективностьфосфоресцонтноговыхода
(phosphorescence yield, phosphorescence yield efficiency): Отношение количества фосфоресцентных
фотонов, деленное на количествофотонов, поглощаемых веществом.
2.3.12 фосфоресценция (phosphorescence): Испускание света веществом в возбужденном
триплетном состоянии.
2.3.13 спектр фотолюминесценции (photoluminescence spectrum): Спектральное распределе
ние света, излучаемого веществом, возбужденным светом с длинами волн короче длин волн фотолю-
минесцентного излучения.
2.4 Термины, относящиеся к элементам конструкции
2.4.1 аморфный кремний (amorphous silicon): Твердотельный кремний без отчетливой кристал
лической структуры.
П р и м е ч а н и е Подвижность носителей по сравнению с поликристаллмческим кремнием довольно
низкая.
2.4.2 анодный разделитель (anode separator): Перегородка для электрического отделения
соседниханодов вдисплейной панели наорганических светодиодах с пассивной матрицей.
2.4.3 bank (bank): Возвышенность, образованная вокруг каждого пикселя или субпикселя.
П р и м е ч а н и е Обычно ее используют для недопущения переливания покрывающего раствора.
2.4.4 матрица/шаблон черного (black matrix): Структура, подобная пленке, которая поглощает
внешнюю засветкуэкрана или внутренний рассеянный свет.
2.4.5 буферный слой (buffer layer): Слой, вводимый в структуру устройства, который можно
использовать, например, для улучшения инжекции тока или уменьшения шероховатости поверхности.
2.4.6 катодный разделитель (cathode separator): Перегородка для электрического отделения
соседних катодов вдисплейной панели на органическихсветодиодахс пассивной матрицей.
2.4.7 слой генерации зарядов, CGL (charge generation layer, CGL): Слой в наборном органичес
ком светодиоде (OLED). генерирующий электроны для одного соседнего единичного OLED (действую
щего как катод), идырки для второгососеднего единичного OLED (действующего каканод).
П р и м е ч а н и е CGL непосредственно к электрическому источнику питания не подключен.
2.4.8 круговой поляризатор (circular polarizer): Оптический элемент, состоящий из линейного
поляризатораичетвертьволновойфазовой пластинки, который преобразуетсоставляющую входящего
света, параллельную поляризатору, в светкруговой поляризации.
2.4.9 среда изменения цвета(colourchanging medium):Среда (материал), содержащаяфлуорес
центные красители, поглощающие энергию излучения органической электролюминесценции, и переиз-
лучающая фотоны с большейдлиной волны, чем упоглощенных фотонов.
4