ГОСТ Р 56296—2014
Если вышибная поверхность имеет массу единицы площади до 10 кг/м2, то к определяется по
формуле
гдеVобъем кабины. м \
к = 2,074-0,091-(17)
Если вышибная поверхность имеет массу единицы площади от 10 до 150 кг/м2, то к
определяется по формуле
к = 1,862-0,0731-
(18)
Если к сектору примыкают две вышибные поверхности различной массы, в расчете необходимо
использовать коэффициент к. определяемый по формуле (17).
7.3.6Если поверхность ШУ примыкает одновременно к нескольким секторам стены кабины, то
первичный импульс i, рассчитывается для каждого сектора отдельно и для дальнейших расчетов
принимается усредненный импульс
гдеN -количество секторов, к которым примыкает ШУ.
(19)
7.3.7 При взрыве в кабине нескольких зарядов ВВ. первичный импульс и, действующий на стену
кабины, принимается равным сумме импульсов, действующих от каждого заряда, и рассчитывается по
формулам (13)-(16).
7.3.8 Коэффициент снижения нагрузки к для первичного импульса i, вычисляется по 7.3.5 с
учетом того, что Срравен сумме масс взорвавшихся зарядов.
7.4 Определение вторичного импульса ударной волны
Импульс. Па с. воспринимаемый стеной кабины от вторичных волн, определяется по формулам:
V
при 3 < — <, 8,3
г
при 8,3 < — <50
С,
_
3,75’103-Срш
*2
(
20
)
_2,23-Ю3-Ср0-’
*2уйЛ
(
21
)
При взрыве в кабине нескольких зарядов ВВ вторичный импульс \2 вычисляется с учетом того,
что Ср равен сумме масс взорвавшихся зарядов.
7.5 Определение давлений, действующих на шиберное устройство, при взрыве заряда ВВ
7.5.1Величина избыточного давления, действующего на ШУ при взрыве заряда ВВ. зависит от
массы заряда, его химической природы, приведенного расстояния, и величины угла падения ВУВ.
Угол падения ВУВ на поверхность шибера а определяется по 6.3.2.3.
При а 5 40° происходит регулярное отражениеВУВ и на поверхность шибера действует
отраженная ВУВ.
22