ГОСТ Р 56296—2014
6.3.2Толщина шибера S согласно рисунку 1 определяется в зависимости от размеров
технологического проема, эквивалентной массы заряда и его расположения относительно шибера.
6.3.2.1 Массу эквивалентного сферического заряда, кг. тротила определяют по формуле
С=
а
С,(2)
гдеа. -тротиловый эквивалент используемого ВВ;
С -масса используемого ВВ. кг.
При взрыве в кабине нескольких зарядов, приведенную массу заряда, кг. определяют по
формуле
(
3
)
гдеi -номер заряда (i = 1, 2, З...п);
N -количество зарядов.
В этом случае при расчете ударно-волнового воздействия на шиберное устройство считается,
что заряд с приведенной массой ВВ расположен в центре масс системы единовременно
детонирующих зарядов.
6.3.2.2Радиус эквивалентного сферического заряда, м. из тротила с насыпной плотностью
определяется по формуле
г„ = 0 ,0 6 2 .^ 7 .
Относительное расстояние п от центра заряда до центра шибера вычисляется по формуле
П = —
R
.
Го
гдеR -кратчайшее расстояние между центром заряда и центром шибера, м.
6.3.2.3 Угол падения ВУВ. образованный между направлением из центра заряда на центр
шибера и нормалью к нему, показанный на рисунке 1. определяют по формуле
а =
arccos— .
(4)
R
где-расстояние по нормали от центра заряда до шибера, м.
6.3.2.4 Толщину шибера назначают по графикам рисунка 2 если
a 5 40°;
0,20*0,05 5 I5 0,63±0.10;
0.20Ю.05 5Ь50,63Ю,10.
6.3.2.5 Толщину шибера назначают по графикам рисунка 3, если
a 5 40°;
0,6310,10515 1,0010.10;
0.3210.055 Ь5 1,00±0.10.
6.3.2.6 Толщину шибера назначают по графикам рисунка 4. если
а 5 40°;
1,0010.10 515 1,2510.15:
0.50Ю.055Ь5 1,2510.15.
7