ГОСТ Р 56296—2014
6.4.4 Высота цилиндрической выемки, м. в технологическом проеме для установки
цилиндрического ШУ назначается из условия
h = Н +2-(S, +S$+
е
).(9)
6.4.5 Толщина каркаса S3 цилиндрического ШУ выбирается равной половине строительной
высоты трехслойного шибера.
6.4.6 Толщина обечайки S4 и толщина дисков Sb цилиндрического ШУ назначаются из
следующих условий:
- S4 = S5£ 5 мм - для ШУ одноразового использования, которое устанавливается в кабине при
производстве технологических операций с малой вероятностью возникновения взрыва и которое
после взрыва заменяется;
- S4 = S5г 10 мм - для ШУ многоразового использования, которое устанавливается в кабине
при производстве технологических операций с частым возникновением взрыва и которое после
смены осей и частичного ремонта обечайки может быть повторно установлено в
технологическом проеме.
7 Расчет нагрузок, действующих на шиберное устройство при взрыве
заряда ВВ в кабине
7.1 Определение параметров расчетной массы и приведенного расстояния
7.1.1 Для обеспечения необходимого запаса прочности расчетную массу заряда ВВ. кг,
принимают равной
Ср= 1,2-С
(
Ю
)
где 1.2 -коэффициент запаса.
Приведенное расстояние Z. м/кг”3, от центра заряда до центра шибера вычисляют по
7.1.2
формуле
(
11
)
7.2Определение полного действующего импульса ударной волны на шиберное
устройство
7.2.1 Импульс действующей ВУВ зависит от массы заряда, его химической природы,
приведенного расстояния.
7.2.2 Среднее значение полного импульса. Па с, действующего на ШУ. рассчитывается с учетом
соударения волн в углах кабины и импульса от вторичных волн
i, = i,+ i,,(12)
гдеii - первичный импульс ударной волны. Па с;
i2 - вторичный импульс ударной волны. Па с.
7.3 Определение первичного импульса ударной волны
7.3.1Для определения величины первичного импульса и, действующего на ШУ. поверхность
стены кабины, на которой находится ШУ, разбивается на 9 секторов согласно рисунку 10. Затем
устанавливается, к какому сектору примыкает ШУ.
19