ГОСТРМЭК 61853-1— 2013
Установленные нормальные условия для определения рабочих характеристик и номинальной
мощности приведены в таблице 1 и более детально описаны в подразделах 7.1-7.6. Первые три нор
мальные условия определены в МЭК 61215 и МЭК 61646. Для любого из установленных условий спек
тральный состав излучения должен соответствовать AM 1,5, а световой поток должен быть направлен
нормально к поверхности модуля (в соответствии с МЭК 60904-3).
Т а б л и ц а 1 - Нормальные условия испытаний (при AM 1.5)
Условия
Энсргс
1
ичссквяосвещенность.
Вг.-м2
1смпервгура.’С
СУИ
1000
25
элемента
НРТЭ
(согласно МЭК 61215 или МЭК 61646)
800
20
окружающей среды
УНС
(У
словий низкой
энергетической освещенности)
200
25
элемента
УВТ
(Условия высокой температуры)
1000
75
элемента
УНТ
(Условия низкой температуры)
500
15
элемента
П р и м е ч а н и е - Нормируемые параметры, указанные а этой таблице, могут быть измерены непосред
ственно при составлении таблицы результатов испытаний (см. раздел 8).
7.2 Стандартные условия испытаний (СУИ)
- Температура: 25 °С.
- Энергетическая освещенность: 1000 Вт/м2.
7.3 Номинальная рабочая температура эломента (НРТЭ)
- Температура: НРТЭ (в соответствии с подразделом 10.5 МЭК 61215 или МЭК 61646).
- Энергетическая освещенность: 800 Вт/м2.
7.4 Условия низкой освещенности (УНО)
- Температура: 25 °С.
- Энергетическая освещенность: 200 Вт/м 2.
7.5 Условия высокой температуры (УВТ)
- Температура: 75 °С.
- Энергетическая освещенность: 1000 Вт/м2.
7.6 Условия низкой температуры (УНТ)
- Температура: 15 °С;
- Энергетическая освещенность: 500 Вт/м2.
8 Измерение рабочих характеристик в зависимости от энергетической
освещенности и температуры
8.1 Общие положения
Необходимость определения зависимости рабочих характеристик фотоэлектрических модулей от
энергетической освещенности и температуры и выбор методики испытаний обусловлены следующим.
Мощность, генерируемая фотоэлектрическим устройством, непосредственно зависит от его тем
пературы и интенсивности падающего света. Характеристики большинства фотоэлектрических моду
лей на основе кристаллического кремния имеют линейную зависимость от температуры, для характе
ристик модулей на основе тонкопленочных материалов не представляется возможным указать общее
выражение температурной зависимости. При изменении энергетической освещенности в большинстве
случаев ток короткого замыкания изменяется линейно. Но логарифмическая зависимость напряжения
холостого хода и нелинейная зависимость коэффициента заполнения от энергетической освещенности
4