ГОСТ 30324.2.41-2012
h) Остаточная освещенность с трубкой и двумя масками
Те же условия, что и в перечислении f). но с добавлением двух масок (см. рисунок 113).
Среднее результатов четырех измерений освещенности, проведенных в ЦЕНТРЕ СВЕТОВОГО
ПОЛЯ (ЦСП) с парой масок в четырех последовательных позициях, отстоящих друг отдруга на 45’ (ри
сунок 114) без какого-либо перемещения как испытуемого ИЗДЕЛИЯ, так и фотометрической головки в
ходе испытания на освещенность.
Среднее результатов указанных измерений выражают как процентное отношение к ЦЕНТРАЛЬ
НОЙ ОСВЕЩЕННОСТИ.
i) ГЛУБИНА ОСВЕЩЕНИЯ
ИЗДЕЛИЕ устанавливают на расстоянии 1 м от поверхности, на которой измеряют ЦЕНТРАЛЬ
НУЮ ОСВЕЩЕННОСТЬ. Из этого положения фотометрическую головку перемещают вверхи вниз вдоль
вертикальной линии, проходящей через ЦЕНТР СВЕТОВОГО ПОЛЯ, до тех пор, пока освещенность
не достигнет 20 % предыдущей ЦЕНТРАЛЬНОЙ ОСВЕЩЕННОСТИ. Расстояние между верхней и
нижней точками измерений дает ГЛУБИНУ ОСВЕЩЕНИЯ (рисунок 115).
*50.102.2 Спектральные характеристики
50.102.2.1 Общие требования
Эмиссионный спектр ИЗДЕЛИЯ, ассоциируемый с высоким уровнем освещенности, должен
быть таким, чтобы можно было провести дифференциацию тканей. В данном случае индекс цветопе
редачи Ra(CIE 13.3) должен находиться между 85 и 100.
Цветовая температура Тс излучаемой радиации должна находиться между 3000 и 6700 К. когда
ИЗДЕЛИЕ установлено на получение максимальной освещенности для точной передачи цветовых от
тенков оперативного поля.
Соответствие требованиям проверяют испытанием.
50.102.2.2 Проводимые испытания
Испытания проводят согласно требованиям CIE 13.3 и CIE 15.2.
Координаты цветности (х. у) (эталонный наблюдатель CIE 1931 — см. CIE 15.2 или ISO/CIE 10527)
радиации, излучаемой ИЗДЕЛИЕМ, должны находиться в пределах поля, имеющего следующие коор
динаты из шести точек А. В, С. D, Е и F.
А: х = 0.31; у =0.375;
В: х = 0.31; у =0,307;
С: х = 0,341; у = 0.307;
D: х = 0,42; у = 0,37;
Е: х = 0.445; у = 0,422;
F: х= 0.38; у = 0.422.
50.102.3 Повышение температуры на освещенной поверхности
50.102.3.3 Общие требования
Повышение температуры на освещенной поверхности выражают в значениях измеренной полной
облученности.
На расстоянии порядка 1 мдля отдельного блока освещения полная облученность £е на освещен
ной площади не должна превышать 1000 Вт/м2.
Данное требование распространяется на СМОТРОВЫЕ (ДИАГНОСТИЧЕСКИЕ) СВЕТИЛЬНИКИ и
ХИРУРГИЧЕСКИЕ СВЕТИЛЬНИКИ.
Для ХИРУРГИЧЕСКИХ СВЕТИЛЬНИКОВ отношение значения облученности £е к освещенно
сти £с не должно превышать 6 мВт/(м2лк).
Если в случае применения ХИРУРГИЧЕСКИХ ОСВЕТИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ облученность превы
шает 1000 Вт/м2 вследствие наложения световых полей нескольких блоков освещения, соответствую
щую информацию приводят в инструкциях, так как существует риск слишком большого тепла в опера
ционном поле.
Для всех ХИРУРГИЧЕСКИХ СВЕТИЛЬНИКОВ изготовитель представляет соответствующую ин
формацию в ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ ДОКУМЕНТАХ.
Соответствие требованиям проверяют измерением облученности и освещенности согласно
50.102.1.2.
50.102.3.4 Проводимые испытания
Полную облученность £е измеряют в плоскости на расстоянии 1 м ниже самой низкой точки све
тоизлучающей поверхности ИЗДЕЛИЯ в ЦЕНТРЕ СВЕТОВОГО ПОЛЯ (ЦСП)
10