ГОСТ IEC 60934—2015
Окончание таблицы 1
а>Данные напряжения являются:
• для функциональной изоляции — максимальным импульсным напряжением, прикладываемым парал
лельно зазорам:
• для доступных частей основной изоляции или подверженной воздействию кратковременных перенапря
жений от источника питания — максимальным импульсным выдерживаемым напряжением АВО:
’ для недоступных частей основной изоляции или подверженной воздействию кратковременных перена
пряжений от источника питания — максимальным импульсным напряжением, прикладываемым к цепи.
ь>Для печатных платАВО применяются значения для 1-йстепени загрязнения, исключая то, что значение
не должно быть менее 0.04 мм.
с| Значения минимальных зазоров, вероятнее всего, приняты на основе фундаментальных исследований.
d>Для АВО допустимы растворы контактов менее чем установленные минимальные зазоры, но при этом
должна быть маркировка символа «р».
8.1.3.1.3 Зазоры для дополнительной изоляции
Зазоры для дополнительной изоляции не могут быть меньше значений, установленных в 8.1.3.1.1 для
основной изоляции, исключая то. что уменьшение значений установленных в таблице 1 не допускается.
Соответствие проверяют измерениями.
Примечание — Дополнительная изоляция применяется совместно с базовой изоляцией.
8.1.3.1.4 Зазоры для усиленной изоляции
Зазоры для усиленной изоляции не могут быть меньше значений, указанных в таблице 1.
8.1.3.1.5 Зазоры, применяемые для микроразьединения
Зазоры, применяемые для микроразъединения, должны быть назначены в зависимости от устой
чивости к временным перенапряжениям (см. 3.4.4).
Соответствие проверяют испытаниями по 9.11.1.3.
8.1.3.1.6 Зазоры, применяемые для полного разьединения
Зазоры, применяемые для полного разьединения, должны быть назначены в зависимости от
устойчивости к кратковременным перенапряжениям. Они не могут быть меньше значений, указанных в
таблице 1 для основной изоляции. Меньшие размеры промежутков могут быть применены, если АВО
после испытаний по 9.9 и 9.11 способен выдерживать испытание на устойчивость к импульсным выдер
живаемым напряжениям при разомкнутом состоянии контактов.
Соответствие проверяют измерениями или необходимыми испытаниями по 9.7.6.
8.1.3.2 Расстояния утечки
Расстояния утечки АВО не должны быть менее чем необходимые для устойчивости к напряже
ниям. прикладываемым при нормальном применении с учетом оценки группы материалов и степени
загрязнения.
8.1.3.2.1 Расстояния утечки для основной изоляции
Расстояния утечки для основной изоляции не должны быть менее значений, указанных в таблице 2.
Примечание — Расстояния утечки не должны быть меньше соответствующих зазоров.
Соотношения между группами материалов и контрольными индексами трекингостойкости (КИТ)
имеют следующие значения:
материалы группы 1......................................................................................600 sКИТ;
материалы группы II................................................................................400 S КИТ<600;
материалы группы III а ............................................................................175 S КИТ<400;
материалы группы III b .........................................................................„...100 £ КИТ<175.
Для печатных плат применяются значения сравнительного индекса трекингостойкости (СИТ).
Примечание — Значения СИТ берутся из (2J. применяется раствор А.
Соответствие проверяют измерениями.
8.1.3.2.2 Расстояния утечки для функциональной изоляции
Расстояния утечки для функциональной изоляции не должны быть менее значений, указанных в
таблице 2.
Соответствие проверяют измерениями.
Примечание — Для стекла, керамики и других неорганических материалов, которые не подвержены
воздействию трекинга, расстояния утечки недолжны быть больше, чем аналогичные зазоры.
19