ГОСТ Р 56773—2015
ДА.4 13. Прецизионность и систематическая погрешность
13.1 Прецизионность. По даннойметодике испытаний проводят работу над установлением
прецизионности по отношению к процедурам.
13.2 Систематическая погрешность. По причине отсутствия принятых контрольных материалов, которые
подходят для ее установления в отношении процедур данной методики испытаний, систематическая
погрешность не определена.
ДА.5 ПРИЛОЖЕНИЕ
Х1. Дополнительная информация
Х1.1 Сокращения, используемые в методике испытаний
Х1.1.1 ALT — ускоренное испытание на ресурс:
Х \.\.2 AWU — блок для ускоренных испытаний на погодоустойчивость:
Х1.1.3 AM — масса воздуха:
Х1.1.4 п — КПД (эффективность) придания цвета;
Х1.1.5 I-V— вольт-амперная характеристика;
Х1.1.6 DPM — цифровые стендовые измерительные приборы;
Х1.1.7 DBT — температура по сухому термометру;
Х1.1.8 /6 — теплоизоляционный стеклопакет;
Х1.1.9 IGUs — стекпопакет(ы);
Х1.1.10 ИК — инфракрасное (излучение);
Х1.1.11 Кф — фотопический коэффициент пропускания, или Кф = ь/ь;
Х1.1.12 тс— оптическая пропуская способность в состоянии набранного цвета:
Х1.1.13 ть — оптическая пропуская способность в обесцвеченном состоянии;
Х1.1.14 УФ — ультрафиолетовое (излучение):
Х1.1.15 UMS — система обеспечения единства измерений;
Х1.1.16 V — напряжение.
Х1.2 Дополнительный список полезных с точки зрения практики определений касательно терминов,
использованных в данном стандарте
Х1.2.1 испытание ускоренное на ресурс — это протокольный метод, который приводит к тому, что
материалы или устройства испытывают на себе ускоренное старение:
Х1.2.2 участок ненормального перегрева (с т.з. однородности в боковых частях поверхности) — это зона,
в которой имеется неожиданное повышение температуры;
Х1.2.3 эффективность придания цвета — это изменение оптической плотности (OD) на единицу заряда
(О), который предусмотрен в ЭХ-устройстве или материале;
Х1.2.4 слой противоэлектрода — это материал хранения ионов в электрохромном покрытии, который
служит в качестве накопителя ионов, которые можно ввести в или получить из слоя электрохромного материала;
Х1.2.5 факторы ухудшения свойств — это условия, заданные искусственно или естественно, которые
оказывают влияние или вызывают работу механизма ухудшения свойств, типа воздействия или режима
разрушения:
Х1.2.6 характеризация оптико-электронных (электро-) параметров — это процесс фиксации изменений
оптических характеристик (пропускающей способности, отражающей способности, поглощающей способности и
пр.) в остеклениях, использующих ЭХ материал, в качестве функции электротехнических записей, вносимых в
протоколы (вольтаж, ампераж);
Х1.2.7 оптико-электронное цитирование — это электрохимический сайклинг-процесс подачи и
сохранения попеременно положительного и отрицательного напряжения на ЭХ материал с целью обратимого
изменения оптических свойств электрохромного устройства с обесцвеченного состояния на состояние «в цвете»:
Х1.2.8 интегрированное излучение — это совокупное количество излучений в пределах ширины
диапазона исследуемого спектра;
Х1.2.9 равномерность бокового освещения — это степень вариации обьема излучений по осям х и у в
отношении плоскости испытаний, которая используется для выдержки остеклений с ЭХ материалом;
Х1.2.10 интенсивность освещения — это поверхностная плотность излучения, которое исходит от
источника света и направлен на поверхность;
Х1.2.11 оптическая плотность — это затухание в объеме пропускаемого света ввиду воздействия
процессов поглощения или отражения в просвечиваемом материале. OD (о.п.) - логарифм по основанию 10
величины, обратной пропускающей способности (т): ОО = -1од10 (т)).
Х1.2.12 оптический коэффициент фотопичвекого пропускания — это коэффициент пропускания при
обесцвеченном состоянии
<<ь)
по отношению к коэффициенту пропускания в состоянии *в цвете"(гс), где оба .е и
,е
являются взвешенными по отношению к кривой относительной спектральной световой эффективности;
Х1.2.13 оптическая пропускающая способность — эго коэффициент излучаемой энергии, которая
распространяется по физическому телу, к общей излучаемой энергии, характерной на физическом теле;
Х1.2.14 спектрофотометр с фотодиодной матрицей — это система оптического детектора, которая
использует матрицу фотодиодов, соединенных с полупроводниковыми приемниками света в целях облегчения
спектроскопических измерений в диапазонах UV-VIS-NIR.
Х1.2.15 ухудшение свойств, вызванное фотолитическими процессами. — это распад или ухудшение
свойств материала, которое в итоге происходит из-за действия света:
Х1.2.16 солнечное излучение — это выдерживание материала или устройства под воздействием солнца
или смоделированного солнечного излучения, идущего от источника света, т.е. от 295 до 2600 нм:
13