ГОСТ IEC 60110-1—2013
Приложение В
(справочное)
Формулы для конденсаторов и установок
В.1 Резонансная частота
Конденсатор будет находиться в резонансе с гармоникой, в соответствии со следующим уравнением, где
п — целое число:
где S — мощность короткого замыкания (MBA) цепи, а которой должен быть установлен конденсатор.
О — выражается в мегаварах (МВАр);
п — порядок гармоники: т. е. отношение между резонансной гармоникой (Гц) и частотой сети (Гц).
В.2 Повышение напряжения
Подсоединение шунтирующего конденсатора вызывает прирост установившегося напряжения, определяе
мый следующим выражением.
ли О
и ~ s ’
где ли — прирост напряжения (В);
U — напряжение до подсоединения конденсатора (В).
S — мощность короткого замыкания (MBA), где должен быть установлен конденсатор:
О — выражается в мегаварах (МВАр).
В.З Импульсные переходные токи
В.3.1 Включение единичного конденсатора
U 3 !,<
где /а— пиковое значение импульсного тока через конденсатор, выраженное в амперах (А);
/м — номинальный ток конденсатора (эффективное значение), выраженный в амперах (А);
S — мощность цепи короткого замыкания (MBA), в которой должен быть установлен конденсатор:
О — выражается в мегаварах (МВАр).
В.3.2 Включение конденсатора параллельно с конденсаторами под напряжением
’s-
где /s — пиковое значение импульсного тока через конденсатор, выраженное в амперах (А);
U — напряжение фаза-земля, выраженное в вольтах (В).
Хс — последовательно соединенные реактивные сопротивления на фазу, выраженные в омах (Ом);
XL— индуктивное сопротивление на фазу между батареями, выраженное в омах (Ом).
/8 — частота пускового тока, выраженная в герцах (Гц);
Сн — номинальная частота, выраженная в герцах (Гц).
В.3.3 Разрядное сопротивление
R £
t
С In
и Ж
и*
где f — время разряда от UN• [!до ин,выраженное в секундах (с).
R — разрядное сопротивление, выраженное в мегомах (Мом);
С — номинальная емкость, выраженная в микрофарадах (мкФ):
Uu — номинальное напряжение блока, выраженное в вольтах (В);
UH— допустимое остаточное напряжение, выраженное в вольтах (В) (предельные значения t и У„ в соответствии
с 4.2).
18