ГОСТ РМЭК 62624—2013
Подвижность носителей заряда, значение которой определено по формуле (3), отличается от
подвижности носителей заряда под действием внешнего электрического поля, которую измеряют
на приборах с полевым эффектом (например, на полевых транзисторах).
5.3.2.4 Определение тока насыщения при обратном смещении
Ток насыщения при обратном смещении ^ . А, определяют по результатам измерений выпрями
тельных ИО с нелинейной ВАХ.
Для ИО с электронно-дырочным переходом (р-п переходом) значение тока насыщения при об
ратном смещении определяют по формуле (4)
С
Hn
А -к в
г,
1
,„
‘
,
h
\
(4)
где Is- значение тока насыщения при обратном смещении. А:
А - значение площади поперечного сечения ИО. см2;
Т - температура, К;
С - значение концентрация неосновных носителей заряда в каждой области полупроводника,
см-3;
jy- значение подвижности носителей заряда. см2/В с;
L - значение диффузионной длины, см;
кв- постоянная Больцмана. 1,381 ■10’23Дж/К.
Нижними индексами ер и hn обозначают электроны в p-области и дырки в л-области соответ
ственно.
Для ИО с переходом металл-полупроводник (контактом с барьером Шоттки) значение тока на
сыщения при обратном смещении определяют по формуле (5)
квТ
(5)
ls=A‘В Т3 -е
гдеВ - постоянная Ричардсона;
- значение работы выхода электронов из проводника. эВ;
Фп- значение работы выхода электронов из полупроводника. эВ;
кв- постоянная Больцмана, 1,381 1023Дж/К:
о - основание натурального логарифма, равное 2,718.
Зависимость электрического напряжения U. В. от электрического тока /, А. определяют по фор
муле (6)
/(£ /) = Л
.А,Т
-1
(
6
)
гдеI - значение электрического тока. А:
U - значение электрического напряжения. В;
ls- значение тока насыщения при обратном смещении. А;
о - основание натурального логарифма, равное 2,718;
q - заряд электрона. 1.602 • 1013Кл;
кв- постоянная Больцмана. 1.381 ■10 23Дж/К;
Г - температура. К.
5.3.2.5 Регистрация условий окружающей среды
В протоколе вместе с полученными значениями электрических характеристик регистрируют ус
ловия окружающей среды во время хранения ИО и выполнения измерений. Требования к контролю и
регистрации условий окружающей среды приведены в 5.4.
5.3.2.6 Неэлектрические характеристики УНТ, подлежащие регистрации
В таблице 2 представлены неэлектрические характеристики УНТ, которые могут быть получены
в процессе измерений и подлежат регистрации вместе с электрическими характеристиками. Сведе-
11