ГОСТ РМЭК 62562—2012
£т
»
£ref~
Действительные части комплексной диэлектрической проницаемости при темпера
туре
Т
и опорной температуре
Тге,,
в пределах 20 °С <
T/ej
< 25 °С соответственно.
3 Теория и расчетные соотношения
3.1 Относительная диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических по
терь
Схематическое изображение резонатора для измерений комплексной диэлектрической прони
цаемости приведено на рисунке 1. Резонатор, имеющий диаметр
D
и длину
Н
= 2А/, разделен на
две половины. Образец диэлектрической пластины, имеющий
с ’,
tgrV и толщину / , помещен между
ними.
Для измерения используется мода
ТЕ0 1
имеющая только касательную к плоскости образца
составляющую электрического поля, поэтому воздушные зазоры между поверхностями резонатора и
пластины диэлектрика не влияют на электромагнитное поле. Параметры
е
’
и
tgr)’ определяют из
измеренных значений резонансной частоты / 0 и собственной добротности
Qu
резонатора с образ
цом. учитывая краевое поле в области образца за пределами внутреннего диаметра резонатора [6]
путем строгого решения краевой задачи методом «сшивания полей» [7]. Эти численные расчеты до
вольно громоздки, поэтому сначала определяют приближенные значения
£(1
и tg^e из величин / 0
и
Qu
с использованием простых формул для модели резонатора, показанной на рисунке 1(б), в ко
торой не учитывается краевой эффект модели резонатора, показанной на рисунке 1(a). Затем точ ные
значения
с ’
и tg
S
из £* и tg
Sa
получают с использованием номограмм, рассчитанных пу тем
строгого решения.
Рисунок 1 - Схематическое изображение резонатора с образцом (а) и модель резонатора для расче
та
еа’
и
tgSa (6)
Значение
s’u
определяют по формуле
где
с
= 2.99792458 101 мм/с - скорость света в вакууме;
/о - резонансная частота. Гц;
/ - толщина пластины, мм;
2