ГОСТ Р МЭК 60825-1— 2009
Энергия тл умыжп,Дк
Рисунок В.5 — ДПИ для лазера класса 1, излучающего в видимом спектре и в установ
ленном инфракрасном диапазоне (для случая С
6
= 1).
В.З Примеры
Пример В.3.1
Классифицировать гелиево-неоновый лазер непрерывного излучения (А. = 633 нм) с выходной мощностью
50 мВт. диаметром пучка 3 мм и расходимостью пучка
1
мрад.
Решение
Из характеристик пучка ясно, что это хорошо коллимированный точечный источник, где
а
£ < w , = 1.5 мрад.
Поскольку диаметр пучка и его расходимость малы, вся мощность пучка пройдет через апертуру 7 мм и отсюда при
соблюдении условий измерений 1 — 3 получим достигнутый уровень излучения. Выбираем соответствующий
класс и интервал времени [см. 8.3. перечисление в)}.
Выбираем лазер класса ЗВ и время 100 с. не смотря на то. что выходное излучение лазера находится в
видимом диапазоне длин волн от 400 до 700 нм. а временнбй интервал 0,25 с не относится к классу ЗВ и предна
меренное наблюдение невозможно. Для класса ЗВ в таблице 9 находим, что ДПИ = 0.5 Вт.
При излучении 50 мВт ДПИ для класса ЗВ не превышен, и лазер соответствует классу ЗВ. Однако конкретный
лазер может не соответствовать требованиям более низкого класса, тогда в случав сомнений проверяют его
соответствие более низкому классу.
Для класса 3R и времени 0.25 с можно использовать излучение в диапазоне волн от 400 до 700 нм. тогда
ДПИ = 5-10
-3
С
6
Вт (см. таблицу 7).
Из таблицы 10 С
6
= 1 для прямого наблюдения хорошо коллимированного пучка, т.е. а £ 1.5 мрад, поэтому
ДПИ = 5 мВт.
Пока выходная мощность лазера равна 50 мВт. он превышает ДПИ для класса 3R. но меньше, чем ДПИ для
класса ЗВ; поэтому лазер следует классифицировать как соответствующий классу ЗВ.
Пример В.3.2
Л
азер непрерывного излучения на светодиоде мощностью 12 мВт (А = 900 нм) без коллимирующих линз
имеет расходимость пучка 0.5 рад и имеет следующие параметры для измерений по условиям, указанным в
таблице 11. Принимаем, что стягиваемый источником утол на расстоянии 100 мм менее чем amm.
Условие 1: < 20 мкВт через ограничивающую апертуру 50 мм и 2 м от диодного ЧИПа.
Условие 2; 1.4 мВт через ограничивающую апертуру 7 мм и 70 мм от диодного ЧИПа.
Условие 3: 0.7 мВт через ограничивающую апертуру 7 мм и 100 мм от диодного ЧИПа.
49