ГОСТ Р МЭК 60825-1— 2009
П р и м е ч а н и е — Для случая, когда « < 1.5 мрад, но
7а >
1.5 мрад. ограничение для а > 1.5 мрад
применяется таблицами 5 и 8.
d) неоднородная энергетическая освещенность сетчатки, некруговые и многоэлемектные источники.
По сравнению с тепловыми ретинальными пределами диапазон длин волн 400 — 1400 нм и ДПИ
зависят от С6,здесь энергетическая освещенность изображения на сетчатке неравномерная или изображе
ние на сетчатке состоит из многих точек, тогда измерения и расчеты должны быть сделаны для каждого из
следующих условий (сценариев):
- для каждой отдельной точки,
- для различной совокупности точек.
- для парциальных (неполных) площадей.
Это необходимодля того, чтобы была уверенность, чтоДПИ не увеличивается в каждом возможном
угле стягивания в каждом сценарии. Для расчета совокупности точек или неполных площадей угол прием
никадолжен быть между ос^,1пит. е. (хт1п< у < ami,. чтобы определить неполную доступную эмиссию,
связанную с соответствующим сценарием. Для сравнения этого уровня неполной доступной эмиссии
с соответствующим ДПИ значение угла схустанавливается равным значению угла у.
Классификация должна базироваться на случае, когда отношение между неполной доступной эмис
сией внутри неполной площади выше угла стягивания
а
и соответствующим ДПИ максимальное.
Угол стягивания прямоугольного или линейного источника определяютсреднеарифметическим зна
чением двух угловых размеров источника.
Л
юбой угол, измеренное значение которого большеили
меньшелимитируется как
а „ах
илисоответственно и таким принимается в расчетах.
Фотохимические пределы (400 — 600 нм) не зависят от угла стягивания источника, и источник рас
сматривается с предельным углом приемника, указанным в 9.3.3, перечисление Ь).
Для источников, превышающим предельный угол приемника, допустимую эмиссию определяютдля
неполного видимого источника, который производит максимальную эмиссию:
e) временные базы
Для классификации в стандарте используютследующие временные базы:
1) 0.25 с для лазерного излучения классов 2 .2М и 3R в диапазоне длин волн от 400 до 700 нм;
2) 100 с для лазерного излучения надлинах волн более 400 нм. за исключением случаев, оговорен
ных в перечислениях 1) и 3),
3) 30000 с для лазерного излучения на всех длинах волн не более 400 нм и для лазерного излучения
на длинах волн более 400 нм. если конструкция или назначение лазерной аппаратуры допускает длитель
ное наблюдение.
Каждая возможная длительность эмиссии внутри временной базы должна быть рассчитана при опре
делении классификации аппаратуры. Это означает, что уровень эмиссии одиночного импульса должен
сравниваться сДПИ, применяемым кдлительности импульса и т. д. Недостаточно только усреднять уро
вень эмиссии по длительности при классификации или только при выполнении расчетов временной базы
без учета коротких длительностей эмиссии.
Пр и ме ч а н и е — Для многоволновой эмиссии лазерная аппаратура, излучающая в видимой и невидимой
частях спектра, где эмиссия обозначается как аддитивная (см. таблицу 2) и где видимая часть классифицируется
классом 2 или 2М, или 3R, а невидимая часть классифицируется классом 1 или классом 1М. временная база
ограничена аддитивной эмиссией 0.25 с даже для невидимой части;
0 повторяющиеся импульсы или модулированные лазеры
Следующие методы должны быть использованы для определения класса лазерной продукции при
менительно клазерам с повторяющимися импульсами или к модулированным лазерам.
Для всехдлин волн следует применять ограничения перечислений 1) и 2). Дополнительнодля длин
волн от 400 до 106нм требования перечисления 3)должны также ограничиваться сравнением степловыми
пределами. Требования перечисления 3) не нуждаются в ограничении при сравнении с фотохимическими
пределами.
Класс (см. таблицы 4 — 9) обусловливается применением ограничений перечислений 1). 2) и, где
необходимо, перечисления 3):
1) облученность от одного импульса из последовательности не должна превышать ДПИ для одного
импульса.
23