ГОСТ РЕН 13463-1—2009
Пластмассовые материалы должны иметь температурный индекс TI, соответствующий точке в
20000 ч(см. ГОСТР ЕН 60079-0), превышающий не менее чем на 20 Клокальную максимальную темпе
ратуру поверхности, по отношению к максимальной температуре окружающей среды при эксплуата
ции.
7.4 Заряды статического электричества частей оборудования
7.4.1 Общие положения
Нижеследующие требования распространяются только на наружные части оборудования, изго
товленные из неэлектропроводящих материалов, подвергающиеся воздействию взрывоопасной сре
ды и восприимчивые к зарядам статического электричества.
7.4.2 Высокоэффективные эарядообразующие механизмы, приводящие к образованию
кистевых разрядов на неэлектропроводящих слоях и покрытиях
Распространяющиеся кистевые разряды считаются активными источниками воспламенения сме
сей газов, паров, туманов и пыли с воздухом. Если распространяющиеся кистевые разряды являются
следствием высокоэффективной зарядки неэлектропроводящих слоев и покрытий на металлических
поверхностях, то возникновения этого явления в оборудовании Группы I. Группы II и Группы III можно
избежать, если напряжение пробоя через слои составляет менее чем 4 кВ.
Оборудование Гоуппы III суровнями взрывозащиты Da. Db. Dc. применяемое в средах, опасных
по воспламенению горючей пыли с минимальной энергией воспламенения более чем 3 мДж (измерен
ной с помощью емкостного разряда), воспламеняющие разряды статического электричества, включая
распространяющиеся кистевые разряды, могут быть предотвращены, если толщина неэлектропрово
дящего слоя составляет более чем 10 мм.
Примечание — При этом считается, что кистевые разряды, еслиони возникают,для такогооборудова
ния не являются источником воспламенения, поскольку, имея энергию воспламенения, не превышающую 3 мДж,
они не воспламеняют пылевую взрывоопасную среду.
7.4.3 Оборудование Группы I
Оборудование с площадью поверхности более 100 см2 (оборудование с уровнями взрывозащи
ты Ма и Mb)должно быть разработано таким образом, чтобы при нормальном режиме эксплуатации,
техническом обслуживании иочистке не возникали опасности воспламенения от зарядов статического
электричества.
Данное требованиедолжнобыть удовлетворено путем выполнения одного изследующих условий:
a) подбором конструкционных материалов так, чтобы поверхностное сопротивление, измерен
ное по методу, описанному в 13.3.4.7. не превышало 109 Ом при температуре (23 i 2) °С и относитель
ной влажности (50 z 5) %; или
b
) устранением возможности накопления опасных зарядов статического электричества посред
ством выбора размера, формы или расположения. Это может быть подтверждено с помощью примене
ния метода испытания, приведенного в приложении С, при условии, что распространяющиеся
кистевые разряды не возникают (см. 7.4.2), или
c) толщина неэлектропроводящего материала, являющегося покрытием заземленной металли
ческой поверхности (проводящей поверхности), должна составлять менее чем 2 мм при условии, что
кистевые разряды не возникают (см. 7.4.2).
7.4.4 Оборудование Группы II и Группы III
Оборудование Группы II и Группы IIIдолжно быть разработано таким образом, чтобы при услови
ях эксплуатации, технического обслуживания и очистки не возникали опасности воспламенения от
зарядов статического электричества.
Данноетребованиедолжнобыть удовлетворено путем выполнения одного изследующих условий:
a) выбором конструкционных материалов так. чтобы поверхностное сопротивление, измеренное
по методу, описанному в 13.3.4.7, не превышало 109 Ом при температуре (23
±
2) °С и относительной
влажности (50 15) %; или
b
) устранением возможности накопления опасных зарядов статического электричества посред
ством выбора размера, формы или расположения частей оборудования. Это может быть подтвержде но
с помощью применения метода испытания, приведенного в приложении С, при условии, что
распространяющиеся кистевые разряды не возникают, или
c) ограничением участков поверхности частей оборудования, выполненных из неэлектропрово
дящих материалов, которые могут накапливать электростатические заряды, создающие опасность
воспламенения (см. таблицу 2), при условии, что распространяющиеся кистевые разряды не
возникают.
и