ГОСТ Р 70351—2022
Окончание таблицыА.11
ПоказателиРезультаты
Параметры параллельной
части
емкость апериодической части С, мкФ
число конденсаторов апериодической части Л/с, шт.
Псофометрическое напряжение на выходе 1/2пс, В, не более
Действующее значение гармоники частотой 100 Гц на выходе
U2n,
В, не более
Действующее значение гармоники частотой 400 Гц на выходе
U2n,
В, не более
Действующее значение гармоники частотой 500 Гц на выходе
U2n,
В, не более
Действующее значение гармоники частотой 600 Гц на выходе
U2n,
В, не более
Действующее значение гармоники частотой 700 Гц на выходе
U2n,
В, не более
Действующее значение гармоники частотой 800 Гц на выходе
U2n,
В, не более
Действующее значение гармоники частотой 900 Гц на выходе
U2n,
В, не более
Таблица А.12 — Результаты выбора схемы и основных параметров однозвенного резонансно-апериодического
сглаживающего устройства с резонансным контуром 100 Гц
ПоказателиРезультаты
Схема сглаживающего устройства
Параметры последовательной частииндуктивность Lp, мГн
активное сопротивление
Rp,
Ом
Параметрыпарал
лельной части
апериодическая часть
емкость С, мкФ
число конденсаторов Л/с, шт.
резонансный контур
емкость, Ср к1, мкФ
число конденсаторов Л/сок1>шт-
индуктивность L.,, мГн
Псофометрическое напряжение на выходе 1/2пс, В, не более
Действующее значение гармоники частотой 100 Гц на выходе
U2n,
В, не более
Действующее значение гармоники частотой 400 Гц на выходе
U2n,
В, не более
Действующее значение гармоники частотой 500 Гц на выходе
U2n,
В, не более
Действующее значение гармоники частотой 600 Гц на выходе
U2n,
В, не более
Действующее значение гармоники частотой 700 Гц на выходе
U2n,
В, не более
Действующее значение гармоники частотой 800 Гц на выходе
U2n,
В, не более
Действующее значение гармоники частотой 900 Гц на выходе
U2n,
В, не более
Таблица А.13 — Результаты выбора схемы и основных параметров двухзвенного резонансно-апериодического
сглаживающего устройства с фильтром-пробкой
ПоказателиРезультаты
Схема сглаживающего устройства
Параметры последовательной части первого
звена
индуктивность Lp1, мГн
активное сопротивление Г?р1, Ом
Параметры последовательной части второго
звена
индуктивность Lp2, мГн
активное сопротивление
Rp2,
Ом
30