ГОСТ Р 70351—2022
Сопротивление последовательной части второго звена двухзвенного резонансно-апериодическо
го сглаживающего устройства с фильтром-пробкой
Znocn2n,
Ом, вычисляют по формуле
((
R.
-посл2п’фп +
J
10шп/-фП
т-1
10
6 "Л
(
20
)
Я р2+ 10
3
ju>nL
p2
где
13фП
— активное сопротивление последовательно соединенных емкостного и индуктивного
контуров фильтра-пробки, Ом, принимают в соответствии с таблицей 1;
/.фп и СфП— индуктивность, мГн, и емкость, мкФ, фильтра-пробки, настроенной на частоту 300 Гц,
принимают в соответствии с таблицей 7;
Rp2
— активное сопротивление реактора второго звена, Ом;
/_р2 — индуктивность реактора второго звена, мГн.
Сопротивление последовательной части второго звена двухзвенного резонансно-апериодическо
го сглаживающего устройства Znocn2n, Ом, вычисляют по формуле
3
^посл2л “ ^р2 +
№nf-
р2*(21)
где Rp2 — активное сопротивление реактора второго звена, Ом.
Сопротивление параллельной части второго звена двухзвенных сглаживающих устройств Znap2n,
Ом, вычисляют по формуле
^пар2л =
*
_
С ~ J
.
~
106
(22)
юлС
где
Rc
— активное сопротивление апериодической параллельной части второго звена, Ом, принимают
в соответствии с 4.1;
С — емкость апериодической части, мкФ.
Сопротивление параллельной части первого звена двухзвенного резонансно-апериодического
сглаживающего устройства Znap1n, Ом, вычисляют по формуле
(
зю 6 ^
-1
-пар1л
R + j
10
-
COnCi у
R?
+
J
з
-1
’
10_3соп/_2-
Ю6 ^
®Г)02
(А
Г)6
-1
—1
R
+
J
10-30)„L3
шпС
3
, (23)
где R,,
R2, R3
— активные сопротивления резонансных контуров 100, 200 и 300 Гц, Ом, принимают в
соответствии с таблицей 1;
L
.|,
L2,
L3 — индуктивности резонансных контуров 100, 200 и 300 Гц, мГн, принимают в соответ
ствии с таблицей 7;
С.,, С2, С3 — емкости резонансных контуров 100, 200 и 300 Гц, мкФ, принимают в соответствии с
таблицей 7.
Сопротивление параллельной части первого звена двухзвенного резонансно-апериодического
сглаживающего устройства с фильтром-пробкой Znap1n, Ом, вычисляют по формуле
10
6
"
Л
-1
R + j
10 3conL1-
conCi у
з10
-пар1п
у
(
/
R
5
+
J
R
4
+
j
10~3wnL4
conC4
Л
onC
\
(
10
6
\
((
R
+
J
з
6 ^
/
у 1
„-1-1
R
2
+ j
10"3tonL2-
c
10
2
/
+
{
R + j \
^-3.
шпС
3
(24)
-1
+
10-3co„ Ц -
10
Г 1
+
10-3ш „^
10
К
V
йпС5
/
К
\
6
где
R
1t
R2, R3,
R4,
R5, R
q
— активные сопротивления резонансных контуров 100, 200, 300, 400, 500,
600 Гц соответственно, Ом, принимают в соответствии с таблицей 1;
Lv L2,
L3, L4, L5, L6 — индуктивности резонансных контуров 100, 200, 300, 400, 500, 600 Гц, мГн,
принимают в соответствии с таблицей 7;
С2, С3, С4, С5, С6 — емкости резонансных контуров 100, 200, 300, 400, 500, 600 Гц, мкФ, при
нимают в соответствии с таблицей 7.
18