ГОСТ РИСО 16243—2016
h) если была использована аппроксимация с помощью кривой (формирование результирующе
го пика), используемая(ыо) аппроксимирующая(ие) функция(ии) (например, гауссова функция), любые
ограничения аппроксимации и мера того, насколько адекватна была аппроксимация;
i) информация о любых коррекциях, проведенных для мертвого времени, окна спектрометра и т.д.;
j) информация о любых элементах, намеренно исключенных из количественного анализа (таких
как углеродное загрязнение поверхности).
4.5 Профили распределения элементов по глубине
Профили распределения элементов по глубине могут быть представлены в виде набора спектров
или в виде профилей распределения по глубине, полученных либо при анализе площади пиков, либо
при измерении высоты пиков на спектрах. Если данные получены количественно, нужно принять в рас
чет факторы, перечисленные в 4.4. и отметить их там, где это применимо. Кроме того, количественное
значение глубины для выполнения профилирования по глубине с помощью РФЭС и послойного ион
ного распыления можно оценить, используя скорость ионного распыления стандартного образца при
таких же условиях эксперимента (см. рисунок А.З приложения А).
Примечание — Измерение глубины распыления при профилировании по глубине описано в ИСО/ТО
15969.
При получении профилей распределения элементов по глубине из клиновидных сечений или кра
теров, имеющих вид мелких углублений, глубину можно оценить путем геометрического расчета.
Следующая информация должна быть доступна и, если необходимо, предоставлена вместе с
профилями распределения элементов по глубине:
a) обозначение оси ординат, например атомная доля (вместе с информацией о количественном
анализе, как указано в 4.4) или номинальное число отсчетов;
b
) метки на оси ординат, показывающие атомную долю, число отсчетов, число отсчетов в секунду
или просто шкалу в условных единицах;
c) обозначение оси абсцисс, т. е. время распыления или расчетная глубина;
d) метки на оси абсцисс, показывающие время или глубину;
e) для профилей, полученных при ионном распылении — скорость распыления и материал, ис
пользуемый для калибровки скорости распыления;
f) информацию об энергии и диаметре ионного пучка, о токе ионного пучка и о площади, подверг
шейся ионному распылению или растровому сканированию.
4.6 Карты и линейные сканы
При предоставлении РФЭС-карт или линейных сканов (см. рисунок А.4 приложения А), следую
щая информация в случае необходимости также должна быть предоставлена заказчику (в случае, если
информация предоставляется как часть профиля распределения элементов по глубине, также следует
включить информацию, перечисленную в 4.5).
a) идентификационные данные о РФЭС пике и/или картированной площади вместе с информа
цией о методе удаления фона;
b
) информация о поле обзора карты (по осям X и У);
c) информация о калибровке поля обзора карты по осям X и У;
d) информация о картированном свойстве, например атомной доле, вместе с цветовой шкалой,
если это применимо:
e) метод, используемый для картирования, например, параллельный сбор данных, сканирование
с помощью предметного столика, сканирование рентгеновским пучком, сканирование с помощью вход
ной линзы.
4.7 Информация о химическом состоянии
Если РФЭС спектры анализируются для получения сведений о химическом состоянии, следую
щая экспериментальная информация должна сопровождать набор спектров:
a) элемент и химическая формула, отвечающая каждому химическому состоянию (если предо
ставляются спектры, четко обозначить энергию связи для каждого компонента):
b
) ссылка на базу данных, содержащую информацию, указанную в перечислении а);
c) полуширина пиков (полная ширина пиков на уровне половинной интенсивности), если она была
измерена:
4